Onsemi FDMS2734 N沟道UltraFET MOSFET：高效电源转换解决方案

在电源转换应用中，MOSFET的性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们来详细探讨 Onsemi 的 FDMS2734 N沟道UltraFET MOSFET，看看它在电源转换领域能为我们带来哪些优势。

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一、产品概述

FDMS2734是 Onsemi 推出的一款 N 沟道UltraFET MOSFET，能够为电源转换应用提供卓越的效率。它针对低导通电阻（RDS(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和低米勒栅极电荷进行了优化，这使得它成为高频 DC - DC 转换器的理想选择。

二、产品特性

（一）低导通电阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=2.8 A) 时，最大 (R{DS(on)} = 122 mOmega)；在 (V{GS}=6 V)，(I{D}=1.7 A) 时，最大 (R{DS(on)} = 130 mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更小，能够提高电源转换效率，降低系统发热。

  （二）低米勒电荷

  低米勒电荷可以减少开关过程中的充电和放电时间，降低开关损耗，提高开关速度，从而在高频应用中表现出色。

  （三）环保特性

  该产品符合无铅、无卤和 RoHS 标准，满足环保要求，适用于对环境友好型产品有需求的应用场景。

三、应用领域

主要应用于 DC - DC 转换领域。在各种电子设备中，DC - DC 转换器用于将一种直流电压转换为另一种直流电压，以满足不同电路模块的供电需求。FDMS2734 的高性能特性使其能够在 DC - DC 转换中实现高效、稳定的电压转换。

四、电气特性

（一）最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
(V_{DS})	Drain to Source Voltage	250	V
(V_{GS})	Gate to Source Voltage	+20	V
(I_{D})	Drain Current: Continuous (Silicon limited) (T{C}= 25°C) Continuous (T{A} = 25°C) (Note 1a) Pulsed	14 2.8 30	A
(P_{D})	Power Dissipation: (T{C}= 25°C) (T{A} = 25°C) (Note 1a)	78 2.5	W
(T{J},T{STG})	Operating and Storage Junction Temperature Range	-55 to +150	°C

这些额定值为我们在设计电路时提供了重要的参考，确保 MOSFET 在安全的工作范围内运行。例如，如果实际应用中的漏源电压超过 250V，可能会导致 MOSFET 损坏，影响系统的正常运行。

（二）电气参数

1. 关断特性

• 漏源击穿电压 (B{V{DSS}})：在 (I{D}= 250 mu A)，(V{GS}= 0 V) 时为 250V，其温度系数为 250 mV/°C。这意味着随着温度的变化，击穿电压会有一定的波动。
• 零栅压漏电流 (I{DSS})：在 (V{DS}= 200 V) 时为 - 1 (mu A)。
• 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{GS}= ±20 V)，(V_{DS}= 0 V) 时为 ±100 nA。

2. 导通特性

• 栅源阈值电压 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 mu A) 时，最小值为 2V，典型值为 3V，最大值为 4V。
• 不同条件下的导通电阻 (R_{DS(on)}) 也有明确的参数。

3. 动态特性

• 输入电容 (C{iss})：在 (V{DS}=100 V)，(V_{GS}=0 V)，(f = 1 MHz) 时为 2365 pF。
• 输出电容 (C_{oss}) 等也有相应的参数。

4. 开关特性

• 开关时间参数，如开通时间 (t{on})、关断时间 (t{off}) 等，在特定测试条件下有明确的值，这些参数对于评估 MOSFET 的开关性能至关重要。

5. 漏源二极管特性

• 正向电压 (V{SD})：在 (V{GS}=0 V)，(I_{S}=2.8 A) 时，最小值为 0.75V，最大值为 1.20V。
• 反向恢复时间 (t{rr}) 和反向恢复电荷 (Q{rr}) 等参数也反映了二极管的性能。

五、热特性

热特性对于 MOSFET 的可靠性和性能至关重要。该产品的热阻参数如下：

• 结到外壳的热阻 (R_{theta JC}) 通过设计保证。
• 结到环境的热阻 (R_{theta JA}) 在不同的安装条件下有所不同：安装在 (1 in^{2}) 2 oz 铜焊盘上时为 50°C/W；安装在最小 2 oz 铜焊盘上时为 125°C/W。在实际设计中，我们需要根据具体的散热要求和安装条件来选择合适的散热方式，以确保 MOSFET 的结温在安全范围内。

六、封装与订购信息

（一）封装

FDMS2734采用 WDFN8 5x6, 1.27P (Power 56) 封装，这种封装具有一定的尺寸和引脚布局特点，具体尺寸可参考文档中的机械尺寸图。在进行 PCB 设计时，需要根据封装尺寸来合理布局 MOSFET，确保引脚连接正确，同时考虑散热和电磁兼容性等问题。

（二）订购信息

产品以 3000 个/卷带和卷盘的形式发货。如果需要了解卷带和卷盘的规格，可参考 Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

七、典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线直观地展示了 MOSFET 在不同条件下的性能变化，帮助我们更好地理解和应用该产品。例如，通过观察导通电阻与栅极电压的关系曲线，我们可以选择合适的栅极电压来实现较低的导通电阻，提高电源转换效率。

八、总结

Onsemi 的 FDMS2734 N 沟道UltraFET MOSFET 凭借其低导通电阻、低米勒电荷等特性，在电源转换领域具有显著的优势。在设计电源电路时，我们需要综合考虑其电气特性、热特性和封装等因素，合理选择工作条件和散热方式，以充分发挥该 MOSFET 的性能，实现高效、稳定的电源转换。大家在实际应用中，有没有遇到过类似 MOSFET 的散热问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。