onsemi FDMS86200 N沟道MOSFET：高性能解决方案

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是常用的关键元件之一。今天我们来详细探讨onsemi公司的FDMS86200 N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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一、产品概述

FDMS86200是一款采用onsemi先进POWERTRENCH®工艺并结合屏蔽栅技术的N沟道MOSFET。该工艺在优化导通电阻的同时，还能保持出色的开关性能。这意味着在实际应用中，它可以在降低功耗的同时，实现快速的开关操作，提高整个电路的效率。

二、产品特性

1. 低导通电阻

• 在(V{GS}=10 V)，(I{D}=9.6 A)时，最大(R{DS(on)}=18 mOmega)；在(V{GS}=6 V)，(I{D}=8.8 A)时，最大(R{DS(on)}=21 mOmega)。低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高能源利用效率，对于需要长时间运行的设备尤为重要。

  2. 先进的封装与硅片组合

  这种组合设计能够实现低(R_{DS(on)})和高效率，使得产品在性能和尺寸上达到了较好的平衡。同时，MSL1稳健的封装设计，增强了产品的可靠性和稳定性，能够适应不同的工作环境。

  3. 全面测试

  产品经过100% UIL测试，确保了其在实际应用中的可靠性。并且符合RoHS标准，环保性能良好，满足现代电子产品对环保的要求。

三、应用领域

FDMS86200适用于DC - DC转换领域。在DC - DC转换器中，它的低导通电阻和良好的开关性能可以有效提高转换效率，减少能量损耗，从而提升整个电源系统的性能。

四、最大额定值

Symbol	Parameter	Ratings	Unit
(V_{DS})	Drain to Source Voltage	150	V
(V_{GS})	Gate to Source Voltage	± 20	V
(I_{D})	Drain Current: - Continuous (T{C} = 25 °C) - Continuous (T{A} = 25 °C) (Note 1a) - Pulsed	35 9.6 100	A
(E_{AS})	Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)	220	mJ
(P_{D})	Power Dissipation: (T{C} = 25 °C) (T{A} = 25 °C) (Note 1a)	104 2.5	W
(T{J}, T{STG})	Operating and Storage Junction Temperature Range	−55 to +150	°C

在设计电路时，我们必须严格遵守这些最大额定值，否则可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

五、热特性

	Parameter	Value
(R_{BC})		1.2	°C/W
(R_{JA})		50

热特性对于MOSFET的性能和寿命至关重要。了解这些参数可以帮助我们更好地进行散热设计，确保器件在合适的温度范围内工作。

六、电气特性

1. 关断特性

• 漏源击穿电压(B{VDSS})：在(I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0 V)时为150 V，其温度系数为110 mV/°C（参考25°C）。
• 零栅压漏电流(I{DSS})：在(V{DS}=120 V)，(V_{GS}=0 V)时为1(mu A)。
• 栅源正向泄漏电流(I{GSS})：在(V{GS}= ±20 V)，(V_{DS}=0 V)时为 - 100 nA。

  2. 导通特性

• 栅源阈值电压(V{GS(th)})：在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 mu A)时，典型值为2.0 V。
• 静态漏源导通电阻(R{DS(on)})：在不同条件下有不同的值，如(V{GS}=6 V)，(I_{D}=8.8 A)时为17 mΩ。

  3. 动态特性

  在(V{DS}=75 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 MHz)时，电容值有相应的参数。

  4. 开关特性

• 开启延迟时间、上升时间、下降时间等都有明确的参数，如上升时间为7.9 ns。
• 栅极电荷(Q{g})在(I{D}=9.6A)时为26 nC。

这些电气特性是我们在设计电路时进行参数匹配和性能优化的重要依据。

七、典型特性

文档中给出了多个典型特性图，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些特性图可以帮助我们直观地了解器件在不同条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计。

八、封装与订购信息

FDMS86200采用Power 56 (PQFN8)封装，无铅/无卤。每盘3000个，采用卷带包装。对于卷带规格的详细信息，可以参考相关的包装规格手册。

总结

onsemi的FDMS86200 N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、良好的开关性能、可靠的封装设计等优势，在DC - DC转换等领域具有广阔的应用前景。作为电子工程师，我们在设计电路时，可以充分利用其特性，优化电路性能。同时，在使用过程中，要严格遵守其最大额定值和相关参数要求，确保器件的正常运行。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的问题呢？欢迎在评论区分享交流。