onsemi FDMS86163P P沟道MOSFET：高性能与环保的完美结合

在电子设计领域，MOSFET是不可或缺的关键元件，其性能直接影响着电子设备的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下onsemi推出的FDMS86163P P沟道MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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产品概述

FDMS86163P是一款采用onsemi先进POWERTRENCH工艺生产的P沟道MOSFET。这种工艺经过特别优化，能够有效降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。该产品有FDMS86163P和FDMS86163P - NC两个型号，均采用PQFN - 8（无铅）封装，每卷3000个。

产品特性

低导通电阻

• 在 $V{GS} = -10 V$，$I{D} = -7.9 A$ 时，最大 $r{DS(on)} = 22 mOmega$；在 $V{GS} = -6 V$，$I{D} = -5.9 A$ 时，最大 $r{DS(on)} = 30 mOmega$。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，能够提高设备的效率。

  优化的开关性能

  该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化，非常适合需要快速响应的电路设计。

  环保特性

  产品通过了100% UIL测试，并且是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的，符合环保要求。

主要参数

最大额定值

Symbol	Parameter	Ratings	Unit
$V_{DS}$	Drain - to - Source Voltage	100	V
$V_{GS}$	Gate - to - Source Voltage	± 25	V
$I_{D}$	Drain Current $T{C} = 25^{circ}C$ − Continuous $T{A} = 25^{circ}C$ (Note 1a) − Pulsed (Note 4)	−50 −7.9 −100	A
$E_{AS}$	Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)	486	mJ
$P_{D}$	Power Dissipation $T{C} = 25^{circ}C$ $T{A} = 25^{circ}C$ (Note 1a)	104 2.5	W
$T{J}, T{STG}$	Operating and Storage Junction Temperature Range	−55 to +150	°C

电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压、击穿电压温度系数、零栅压漏电流和栅源泄漏电流等参数。
• 导通特性：如栅源阈值电压、阈值电压温度系数、静态漏源导通电阻和正向跨导等。
• 动态特性：涵盖输入电容、输出电容、反向传输电容和栅极电阻等。
• 开关特性：包含导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、总栅极电荷等。

热特性

热阻 $R_{theta JA}$ 在特定条件下为50 °C/W，这对于评估MOSFET在工作时的散热情况非常重要。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，直观地展示了该MOSFET在不同条件下的性能表现。例如，导通区域特性曲线显示了不同栅源电压下的漏极电流与漏源电压的关系；归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系曲线，有助于工程师了解导通电阻随工作条件的变化情况。

应用领域

FDMS86163P适用于多种应用场景，如有源钳位开关和负载开关等。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关性能能够充分发挥优势，提高系统的整体性能。

封装信息

产品采用PQFN - 8封装，文档提供了详细的封装尺寸和引脚连接信息，方便工程师进行PCB设计。同时，还给出了引脚标记图和订购信息，为实际使用提供了便利。

总结

onsemi的FDMS86163P P沟道MOSFET以其低导通电阻、优化的开关性能和环保特性，成为电子工程师在设计快速开关和负载开关电路时的理想选择。在实际应用中，工程师可以根据具体需求，结合产品的各项参数和典型特性曲线，进行合理的电路设计和优化。你在使用MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。