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      新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装

      英飞凌工业半导体 • 2026-04-13 17:04 • 次阅读
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      CoolSiC MOSFET 1200V G2

      7mΩ分立器件采用TO-247 4pin

      高爬电距离封装

      d2026908-3717-11f1-ab55-92fbcf53809c.png


      英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC-DC、DC-DC及DC-AC功率级组合。


      产品型号：

      ■IMZC120R007M2H


      产品特性


      在VGS=18V、Tvj=25°C条件下导通电阻典型值7.5mΩ

      极低的开关损耗

      更宽的栅极电压VGS范围-10V至+25V

      支持最高结温200℃过载运行

      行业标杆级栅极阈值电压VGS(th)=4.2V

      强抗寄生导通能力，支持0V栅压关断

      适用于硬换流的体二极管


      应用价值


      更优能效表现

      冷却系统优化

      更高功率密度

      新增鲁棒特性

      高可靠性设计

      易于并联


      竞争优势


      增强性能：开关损耗更低与效率更高

      .XT扩散焊技术：优化热阻，降低MOSFET工作温度

      业界领先的RDS(on)导通电阻性能

      独特的鲁棒性设计


      应用领域


      通用变频驱动器

      在线式/工业UPS

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