NTMTS6D0N15MC：功率MOSFET的卓越之选

在电子工程领域，功率MOSFET是至关重要的元件，广泛应用于各种电子设备中。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的NTMTS6D0N15MC这款N沟道功率MOSFET。

文件下载：NTMTS6D0N15MC-D.PDF

产品概述

安森美（ON Semiconductor）现已更名为onsemi。NTMTS6D0N15MC是一款N沟道的单功率MOSFET，采用DFNW8封装，具有150V的耐压、6.4mΩ的导通电阻和135A的最大连续漏极电流。它适用于多种应用场景，如电动工具、电池驱动的真空吸尘器、无人机、物料搬运电池管理系统（BMS）/存储以及家庭自动化等。

产品特性

紧凑设计

该器件的封装尺寸仅为8x8mm，这种小尺寸设计非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。对于那些需要在有限空间内实现高性能的电子设备来说，NTMTS6D0N15MC无疑是一个理想的选择。

低损耗特性

• 低导通电阻（(R_{DS(on)})）：能够有效降低导通损耗，提高系统效率。在VGS = 10V、ID = 69A的条件下，典型导通电阻为4.6mΩ，最大值为6.4mΩ；在VGS = 8V、ID = 34A时，典型值为5.0mΩ，最大值为6.9mΩ。较低的导通电阻意味着在导通状态下，器件消耗的功率更少，发热也更低。
• 低栅极电荷（(Q_{G})）和电容：可以减少驱动损耗，提高开关速度。总栅极电荷（(Q_{G(TOT)})）在VGS = 10V、VDS = 75V时为58nC，这使得器件在开关过程中能够更快地响应，减少开关损耗。

环保特性

该器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合RoHS标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压（(V_{DSS})）	150	V
栅源电压（(V_{GS})）	±20	V
连续漏极电流（(I{D})）（(T{C}=25^{circ}C)）	135	A
连续漏极电流（(I{D})）（(T{A}=25^{circ}C)）	19	A
功率耗散（(P{D})）（(T{C}=25^{circ}C)）	245	W
功率耗散（(P{D})）（(T{A}=25^{circ}C)）	4.9	W
脉冲漏极电流（(I{DM})）（(T{A}=25^{circ}C)，(t_{p}=10mu s)）	900	A
工作结温和存储温度范围（(T{J})，(T{stg})）	-55 to +175	°C
源极电流（体二极管）（(I_{S})）	204	A
单脉冲漏源雪崩能量（(E{AS})）（(I{L}=46.2A_{pk})，(L = 0.3mH)）	320	mJ
引脚温度（焊接回流）（1/8” 从管壳10s）	260	°C

电气特性

截止特性

• 漏源击穿电压（(V{(BR)DSS})）：在(V{S}=0V)、(I = 250mu A)时为150V，温度系数为 -58.67mV/°C。
• 零栅压漏极电流（(I{DSS})）：在(V{GS}=0V)、(T{J}=25^{circ}C)、(V{DS}=120V)时最大值为1μA；在(T = 125^{circ}C)时为10μA。
• 栅源泄漏电流（(I{GSS})）：在(V{DS}=0V)、(V_{GS}= +20V)时为±100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（(V{GS(TH)})）：在(V{GS}=V{DS})、(I{D}= 37A)时，典型值为3.6V，范围在2.5 - 4.5V之间。
• 漏源导通电阻（(R_{DS(on)})）：前面已经提到，不同条件下有不同的值。
• 正向跨导（(g{FS})）：在(V{DS}= 5V)、(I_{D}= 69A)时为127S。
• 栅极电阻（(R{G})）：在(T{A}=25^{circ}C)时为1.1Ω。

电荷与电容特性

• 输入电容（(C{ISS})）：在(V{GS}=0V)、(f = 1MHz)时为4815pF。
• 输出电容（(C{OSS})）：在(V{DS}= 75V)时为1482pF。
• 反向传输电容（(C_{RSS})）：为9.7pF。
• 总栅极电荷（(Q{G(TOT)})）、阈值栅极电荷（(Q{G(TH)})）、栅源电荷（(Q{GS})）和栅漏电荷（(Q{GD})）等也有相应的数值。

开关特性

在(V{GS}= 10V)的条件下，开启延迟时间（(t{d(ON)})）为30ns，上升时间（(t{r})）为7ns，关断延迟时间（(t{d(OFF)})）为38ns，下降时间（(t_{f})）为6ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压（(V{SD})）：在(V{GS}=0V)、(T =25^{circ}C)、(I_{S}=69A)时，典型值为0.87V，最大值为1.2V；在(T =125^{circ}C)时为0.7V。
• 反向恢复时间（(t{RR})）：在(V{GS}= 0V)、(dI{S}/dt = 100A/mu s)、(I{S}=69A)时为72ns。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源和漏源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、安全工作区、峰值电流与雪崩时间关系以及热特性等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而进行更合理的设计。

封装与订购信息

该器件采用DFNW8 PQFN88（无铅）封装，每盘3000个，采用带盘包装。对于带盘规格的详细信息，可参考安森美的带盘包装规格手册BRD8011/D。

注意事项

在使用NTMTS6D0N15MC时，需要注意以下几点：

1. 应力超过最大额定值表中列出的值可能会损坏器件，若超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会导致损坏并影响可靠性。
2. 文档中给出的热阻数值会受到整个应用环境的影响，不是常数，仅在特定条件下有效。
3. “典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间变化。所有工作参数，包括“典型值”，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
4. 该器件不适合用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备，以及任何用于人体植入的设备。如果买方将该器件用于此类非预期或未经授权的应用，买方应承担相应责任。

总的来说，NTMTS6D0N15MC是一款性能优异的功率MOSFET，具有紧凑设计、低损耗等优点，适用于多种应用场景。电子工程师在设计相关电路时，可以根据其特性和参数进行合理选择和应用。你在实际使用中是否遇到过类似MOSFET的应用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。