onsemi NTTFS010N10MCL MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子工程领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件，广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 NTTFS010N10MCL 这款 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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产品概述

NTTFS010N10MCL 采用 onsemi 先进的 POWERTRENCH® 工艺，并融入了屏蔽栅技术。这种工艺经过优化，能够在最小化导通电阻的同时，保持卓越的开关性能，并且拥有同类最佳的软体二极管。

产品特性

屏蔽栅 MOSFET 技术

• 低导通电阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=15A) 时，最大 (r{DS(on)} = 10.6mOmega)；在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=12A) 时，最大 (r{DS(on)} = 15.9mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功耗更低，效率更高。
• 低反向恢复电荷（Qrr）：相比其他 MOSFET 供应商，Qrr 降低了 50%。这有助于降低开关噪声和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和可靠性。

稳健的封装设计

• MSL1 封装：具有良好的防潮性能，适用于各种环境条件。
• 100% UIL 测试：经过 100% 的非钳位电感开关（UIL）测试，确保产品的可靠性和耐用性。

环保合规

该产品符合 RoHS 标准，满足环保要求，有助于企业实现绿色生产。

应用领域

• 初级 DC - DC MOSFET：在直流 - 直流电源转换电路中，作为开关元件，实现高效的功率转换。
• 同步整流器：应用于 DC - DC 和 AC - DC 电机驱动电路中，提高整流效率，降低功耗。

电气特性

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	100	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=25^{circ}C)）	50	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=100^{circ}C)）	32	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{A}=25^{circ}C)）	10.7	A
(I_{D})	漏极电流（脉冲）	250	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	73	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	52	W
(P_{D})	功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	2.3	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

电气特性（(T_{J}=25^{circ}C)）

• 关断特性：
  • 漏源击穿电压 (B{VDS})：在 (I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0V) 时为 100V。
  • 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{DS}=80V)，(V_{GS}=0V) 时为 1(mu A)。
  • 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{GS}=pm20V)，(V_{DS}=0V) 时为 100nA。
• 导通特性：
  • 栅源阈值电压 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=85mu A) 时，最小值为 1.0V，典型值为 1.5V，最大值为 3.0V。
  • 静态漏源导通电阻 (r{DS(on)})：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=15A) 时，典型值为 9.1mOmega，最大值为 10.6mOmega；在 (V{GS}=4.5V)，(I_{D}=12A) 时，典型值为 13.5mOmega，最大值为 15.9mOmega。
  • 正向跨导 (g{FS})：在 (V{DS}=5V)，(I_{D}=15A) 时为 54S。
• 动态特性：
  • 输入电容 (C{ISS})：在 (V{DS}=50V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 时，典型值为 1530pF，最大值为 2150pF。
  • 输出电容 (C_{OSS})：典型值为 625pF，最大值为 875pF。
  • 反向传输电容 (C_{RSS})：典型值为 10pF，最大值为 18pF。
  • 栅极电阻 (R_{G})：典型值为 0.1(Omega)，最大值为 2.1(Omega)。
• 开关特性：
  • 开通延迟时间 (t{d(ON)})：在 (V{DD}=50V)，(I{D}=15A)，(V{GS}=10V)，(R_{GEN}=6Omega) 时，典型值为 9ns，最大值为 19ns。
  • 上升时间 (t_{r})：典型值为 3ns，最大值为 10ns。
  • 关断延迟时间 (t_{d(OFF)})：典型值为 28ns，最大值为 45ns。
  • 下降时间 (t_{f})：典型值为 5ns，最大值为 10ns。
  • 总栅极电荷 (Q{g})：在 (V{GS}=0V) 到 10V 时，典型值为 22nC，最大值为 30nC。
• 漏源二极管特性：
  • 源漏二极管正向电压 (V{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=2A) 时，典型值为 0.7V，最大值为 1.2V；在 (V{GS}=0V)，(I_{S}=15A) 时，典型值为 0.8V，最大值为 1.3V。
  • 反向恢复时间 (t{rr})：在 (I{F}=8A)，(di/dt = 300A/mu s) 时，典型值为 22ns，最大值为 36ns；在 (I_{F}=8A)，(di/dt = 1000A/mu s) 时，典型值为 17ns，最大值为 30ns。
  • 反向恢复电荷 (Q{rr})：在 (I{F}=8A)，(di/dt = 300A/mu s) 时，典型值为 35nC，最大值为 56nC；在 (I_{F}=8A)，(di/dt = 1000A/mu s) 时，典型值为 79nC，最大值为 126nC。

热特性

符号	参数	额定值	单位
(R_{θJC})	结到壳热阻	2.4	°C/W
(R_{θJA})	结到环境热阻（注 1a）	53	°C/W

封装与订购信息

该产品采用 WDFN8（3.3x3.3，0.65P）封装，标记为 N10L，卷带宽度为 12mm，每卷数量为 1500 个。

总结

NTTFS010N10MCL MOSFET 凭借其低导通电阻、低反向恢复电荷、稳健的封装设计和良好的电气性能，在电源管理和功率转换领域具有显著的优势。无论是在初级 DC - DC 转换还是同步整流应用中，都能为工程师提供高效、可靠的解决方案。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑其电气特性和热特性，合理选择和使用该产品。你在使用 MOSFET 时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。