onsemi NVMFS5826NL N沟道MOSFET：紧凑设计与高效性能的完美结合

在电子设计领域，功率MOSFET作为关键元件，对电路的性能和效率起着至关重要的作用。今天，我们将深入探讨onsemi推出的NVMFS5826NL N沟道MOSFET，这款产品以其卓越的特性和出色的性能，为紧凑设计和高效应用提供了理想解决方案。

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产品特性

紧凑设计

NVMFS5826NL采用了5x6 mm的小尺寸封装，非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。这种小尺寸封装不仅节省了电路板空间，还能满足现代电子设备小型化的发展趋势。

低导通损耗

该MOSFET具有低 (R_{DS(on)}) 特性，能够有效降低导通损耗，提高电路的效率。在实际应用中，低导通损耗意味着更少的能量浪费，从而延长设备的电池续航时间或降低功耗。

低驱动损耗

低 (Q_{G}) 和电容特性使得NVMFS5826NL在驱动过程中能够减少驱动损耗，提高开关速度。这对于高频应用尤为重要，能够有效提升电路的性能。

可焊侧翼产品

NVMFS5826NLWF为可焊侧翼产品，这种设计有助于提高焊接的可靠性和可检测性，确保产品在生产过程中的质量。

汽车级认证

产品通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

环保合规

NVMFS5826NL是无铅器件，符合RoHS标准，满足环保要求。

主要参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{mb}=25^{circ}C)）	(I_{D})	26	A
连续漏极电流（(T_{mb}=100^{circ}C)）	(I_{D})	19	A
功率耗散（(T_{mb}=25^{circ}C)）	(P_{D})	39	W
功率耗散（(T_{mb}=100^{circ}C)）	(P_{D})	19	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	(I_{DM})	130	A
工作结温和存储温度	(T{J})，(T{stg})	-55 to +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	32	A
单脉冲漏源雪崩能量（(T{J}=25^{circ}C)，(V{DD}=24V)，(V{GS}=10V)，(I{L(pk)}=20A)，(L = 0.1mH)，(R_{G}=25Omega)）	(E_{AS})	20	mJ
焊接引脚温度（距外壳1/8英寸，10s）	(T_{L})	260	°C

热阻参数

参数	符号	值	单位
结到安装板（顶部）稳态热阻	(R_{J - mb})	3.9	°C/W
结到环境稳态热阻	(R_{JA})	42	°C/W

电气特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	(V_{(BR)DSS})	(V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A)	60	-	-	V
零栅压漏极电流（(T_{J}=25^{circ}C)）	(I_{DSS})	(V{GS}=0V)，(V{DS}=60V)	-	-	1.0	(mu A)
零栅压漏极电流（(T_{J}=125^{circ}C)）	(I_{DSS})	(V{GS}=0V)，(V{DS}=60V)	-	-	10	(mu A)
栅源泄漏电流	(I_{GSS})	(V{DS}=0V)，(V{GS}=pm 20V)	-	-	±100	nA
漏源导通电阻（(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250mu A)）	(R_{DS(on)})	-	18	24	mΩ
输入电容	(C_{iss})	(V_{Gs}=0V)，(f = 1MHz)	850	-	-	pF
输出电容	(C_{oss})	(V_{Ds}=25V)	-	-	85	pF
反向传输电容	(C_{rss})	-	-	-	50	pF
总栅极电荷（(V{Gs}=4.5V)，(V{ps}=48V)，(I_{p}=10A)）	(Q_{G(TOT)})	-	-	9.1	nC
阈值栅极电荷	(Q_{G(TH)})	-	-	1.0	nC
栅源电荷	(Q_{GS})	-	-	3.0	nC
栅漏电荷	(Q_{GD})	-	-	4.0	nC
总栅极电荷（(V{Gs}=10V)，(V{ps}=48V)，(I_{p}=10A)）	(Q_{G(TOT)})	-	-	17	nC
正向二极管电压（(V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=25^{circ}C)）	(V_{SD})	-	0.8	1.2	V
正向二极管电压（(V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C)）	(V_{SD})	-	0.7	-	V
反向恢复时间（(t_{a})）	(t_{RR})	(V{GS}=0V)，(dI{s}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=10A)	-	11	-	ns
反向恢复时间（(t_{b})）	(t_{RR})	(V{GS}=0V)，(dI{s}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=10A)	-	4.0	-	ns
反向恢复电荷	(Q_{RR})	(V{GS}=0V)，(dI{s}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=10A)	-	11	-	nC

典型特性曲线

导通区域特性

从图1可以看出，不同栅源电压下，漏源电阻随漏极电流和漏源电压的变化关系。这有助于工程师在不同工作条件下选择合适的栅源电压，以实现最佳的导通性能。

传输特性

图2展示了漏极电流与栅源电压的关系，不同结温下的曲线表明了温度对器件性能的影响。工程师可以根据实际应用中的温度条件，合理设计电路，确保器件在不同温度下都能稳定工作。

导通电阻与栅源电压关系

图3显示了导通电阻随栅源电压的变化情况。在设计电路时，工程师可以根据所需的导通电阻选择合适的栅源电压，以优化电路性能。

导通电阻与漏极电流和栅极电压关系

图4展示了导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系。这对于评估器件在不同负载电流下的性能非常有帮助，工程师可以根据负载电流和栅极电压的要求，选择合适的工作点。

导通电阻随温度变化

图5显示了导通电阻随结温的变化情况。了解导通电阻的温度特性，有助于工程师在设计电路时考虑温度对器件性能的影响，采取相应的散热措施，确保器件在不同温度环境下都能正常工作。

漏源泄漏电流与电压关系

图6展示了漏源泄漏电流与漏源电压的关系。在实际应用中，漏源泄漏电流会影响电路的功耗和稳定性，因此了解其特性对于优化电路设计至关重要。

电容变化特性

图7显示了输入电容、输出电容和反向传输电容随漏源电压的变化情况。电容特性对于开关速度和驱动损耗有重要影响，工程师可以根据这些特性优化驱动电路的设计。

栅源电压与总电荷关系

图8展示了栅源电压与总栅极电荷的关系。这对于设计驱动电路，确定合适的驱动电压和电荷，以实现快速开关和低驱动损耗非常有帮助。

电阻性开关时间与栅极电阻关系

图9显示了电阻性开关时间随栅极电阻的变化情况。工程师可以根据开关时间的要求，选择合适的栅极电阻，以优化开关性能。

二极管正向电压与电流关系

图10展示了二极管正向电压与电流的关系。了解二极管的正向特性，有助于工程师在设计电路时合理选择二极管的工作点，确保其正常工作。

最大额定正向偏置安全工作区

图11显示了最大额定正向偏置安全工作区，这对于确保器件在不同工作条件下的安全性和可靠性非常重要。工程师在设计电路时，必须确保器件的工作点在安全工作区内。

最大雪崩能量与起始结温关系

图12展示了最大雪崩能量与起始结温的关系。了解雪崩能量特性，有助于工程师在设计电路时考虑器件在雪崩情况下的可靠性，采取相应的保护措施。

热响应特性

图13显示了有效瞬态热阻随脉冲时间的变化情况。这对于评估器件在不同脉冲条件下的热性能非常有帮助，工程师可以根据热响应特性设计合适的散热方案。

订购信息

目前，NVMFS5826NL有以下型号可供选择：	器件型号	标记	封装	包装
NVMFS5826NLWFT1G	5826LW	DFN5 (Pb - Free)	1500 / Tape & Reel

需要注意的是，部分型号（如NVMFS5826NLT1G、NVMFS5826NLT3G、NVMFS5826NLWFT3G）已停产，不建议用于新设计。

总结

onsemi的NVMFS5826NL N沟道MOSFET以其紧凑的设计、低导通损耗、低驱动损耗等特性，为电子工程师提供了一个高性能的解决方案。在实际应用中，工程师可以根据产品的参数和典型特性曲线，合理设计电路，确保器件在不同工作条件下都能稳定、高效地工作。同时，产品的汽车级认证和环保合规性，也使其适用于更广泛的应用场景。你在使用这款MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。