Onsemi NVMFD5C668NL双N沟道MOSFET：紧凑设计与高性能的完美结合

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下Onsemi公司推出的NVMFD5C668NL双N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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产品特性

紧凑设计

NVMFD5C668NL采用了5x6 mm的小尺寸封装，这种紧凑的设计非常适合对空间要求较高的应用场景，能够帮助工程师在有限的空间内实现更多的功能。

低导通损耗

该MOSFET具有低 (R_{DS(on)})，这意味着在导通状态下，它的电阻较小，能够有效减少导通损耗，提高系统的效率。

低驱动损耗

低 (Q_{G}) 和电容使得驱动该MOSFET所需的能量减少，从而降低了驱动损耗，进一步提高了系统的整体效率。

可焊侧翼选项

NVMFD5C668NLWF提供了可焊侧翼选项，这有助于增强光学检测的效果，提高生产过程中的质量控制。

汽车级认证

该产品通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。

环保合规

NVMFD5C668NL是无铅产品，并且符合RoHS标准，满足环保要求。

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	68	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	29	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	57.5	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	29	W
脉冲漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)，(t = 10mu s)）	(I_{DM})	454	A
工作结温和存储温度	(T{J})、(T{stg})	- 55 至 +175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	(I_{S})	48	A
单脉冲漏源雪崩能量（(T = 25^{circ}C)，(I_{L(pk)} = 3.22 A)）	(E_{AS})	205	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8英寸，10 s）	(T_{L})	260	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻参数

参数	符号	值	单位
结到壳稳态热阻	(R_{theta JC})	2.6	(^{circ}C/W)
结到环境稳态热阻	(R_{theta JA})	50.26	(^{circ}C/W)

热阻参数会受到整个应用环境的影响，并非固定值，并且仅在特定条件下有效。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(I_{D} = 250mu A) 时为60 V，温度系数为28 mV/°C。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(V{DS} = 60 V)，(T{J} = 25^{circ}C) 时为100 nA，(T_{J} = 125^{circ}C) 时为250 nA。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = 20 V) 时为±1.2 μA。

导通特性

• 漏源导通电阻：典型值为6.5 mΩ。
• 正向跨导：典型值为61 S。

电荷、电容和栅极电阻

• 输入电容：(C{ISS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz)，(V_{DS} = 25 V) 时为1440 pF。
• 输出电容：(C_{OSS}) 为800 pF。
• 反向传输电容：(C_{RSS}) 为14 pF。
• 总栅极电荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS} = 4.5 V)，(V{DS} = 48 V)，(I{D} = 20 A) 时为9.8 nC；在 (V{GS} = 10 V)，(V{DS} = 48 V)，(I_{D} = 20 A) 时为21.3 nC。
• 阈值栅极电荷：(Q_{G(TH)}) 为2.5 nC。
• 栅源电荷：(Q{GS}) 在 (V{GS} = 10 V)，(V{DS} = 48 V)，(I{D} = 20 A) 时为4.3 nC。
• 栅漏电荷：(Q_{GD}) 为2.1 nC。
• 平台电压：(V_{GP}) 为2.9 V。

开关特性

• 导通延迟时间：在 (I{D}=20 A)，(R{G}=1.0 Omega) 时为10 ns。
• 关断延迟时间：为22 ns。
• 下降时间：为40 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：(V{SD}) 在 (V{GS} = 0 V)，(I{S} = 20 A)，(T{J} = 25^{circ}C) 时为0.85 - 1.2 V，(T_{J} = 125^{circ}C) 时为0.73 V。
• 反向恢复时间：(t_{RR}) 为42 ns。
• 充电时间：(t_{a}) 为20 ns。
• 放电时间：(t_{b}) 为22 ns。
• 反向恢复电荷：(Q_{RR}) 为32 nC。

典型特性曲线

文档中提供了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、峰值电流与雪崩时间关系以及热特性等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解该MOSFET在不同条件下的性能表现。

订购信息

器件型号	标记	封装	包装方式
NVMFD5C668NLT1G	5C668L	DFN8（无铅）	1500 / 卷带封装
NVMFD5C668NLWFT1G	668LWF	DFN8（无铅，可焊侧翼）	1500 / 卷带封装

总结

Onsemi的NVMFD5C668NL双N沟道MOSFET凭借其紧凑的设计、低导通损耗、低驱动损耗等特性，为电子工程师在设计高性能、高可靠性的功率电路时提供了一个优秀的选择。无论是在汽车电子、工业控制还是其他领域，该MOSFET都能够发挥其优势，帮助工程师实现更高效、更稳定的系统设计。

在实际应用中，工程师需要根据具体的设计需求，结合该MOSFET的各项参数和特性，合理选择和使用。同时，也要注意其最大额定值和热阻等参数，避免因超过极限值而导致器件损坏。大家在使用这款MOSFET的过程中，有没有遇到过什么有趣的问题或者独特的应用场景呢？欢迎在评论区分享交流。