深入解析 onsemi NVTFS5C673NL：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能直接影响着整个电路系统的效率和稳定性。今天，我们将深入剖析 onsemi 推出的 NVTFS5C673NL 单 N 沟道功率 MOSFET，探索其在紧凑设计、低损耗等方面的独特优势。

文件下载：NVTFS5C673NL-D.PDF

产品概述

NVTFS5C673NL 是一款耐压 60V、导通电阻低至 9.8mΩ、连续电流可达 50A 的单 N 沟道 MOSFET。其具有小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），非常适合紧凑设计的应用场景。同时，该器件具备低导通电阻和低电容的特性，能够有效降低传导损耗和驱动损耗。此外，NVTFS5C673NLWF 版本还具有可焊侧翼，并且通过了 AEC - Q101 认证，符合 PPAP 要求，是一款无铅且符合 RoHS 标准的环保型产品。

关键参数分析

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	60	V
栅源电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（TC = 25°C）	ID	50	A
连续漏极电流（TC = 100°C）	ID	35	A
功率耗散（TC = 25°C）	PD	46	W
功率耗散（TC = 100°C）	PD	23	W
连续漏极电流（TA = 25°C）	ID	13	A
连续漏极电流（TA = 100°C）	ID	9	A
功率耗散（TA = 25°C）	PD	3.1	W
功率耗散（TA = 100°C）	PD	1.6	W
脉冲漏极电流（TA = 25°C，tp = 10s）	IDM	290	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	IS	52	A
单脉冲漏源雪崩能量（IL(pk) = 2.3 A）	EAS	88	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8″，10s）	TL	260	°C

从这些参数中我们可以看出，NVTFS5C673NL 在不同温度条件下都能提供稳定的电流和功率输出，并且具有较高的脉冲电流承受能力和较宽的温度工作范围，这使得它在各种复杂的应用环境中都能可靠工作。

热阻参数

参数	符号	值	单位
结到壳稳态热阻	RBJC	3.2	°C/W
结到环境稳态热阻	RaJA	48	°C/W

需要注意的是，热阻参数会受到整个应用环境的影响，并非固定值，仅在特定条件下有效。这提醒我们在实际设计中，要充分考虑散热问题，以确保器件的性能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：V(BR)DSS 在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 时为 60 V，其温度系数为 28 mV/°C。
• 零栅压漏极电流：TJ = 25°C 时，IDSS 为 10 μA；TJ = 125°C 时，IDSS 为 250 nA。
• 栅源泄漏电流：VDS = 0 V，VGS = ±20 V 时，IGSS 为 ±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：VGS(TH) 在 VGS = VDS，ID = 35 A 时，范围为 1.2 - 2.0 V，其阈值温度系数为 -4.5 mV/°C。
• 漏源导通电阻：VGS = 10 V，ID = 25 A 时，RDS(on) 为 8.1 - 9.8 mΩ；VGS = 4.5 V，ID = 25 A 时，RDS(on) 为 12 - 15 mΩ。
• 正向跨导：gFS 在 VDS = 15 V，ID = 25 A 时为 37 S。

电荷和电容特性

参数	符号	测试条件	典型值	单位
输入电容	CISS	VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 25 V	880	pF
输出电容	COSS		450	pF
反向传输电容	CRSS		11	pF
总栅极电荷（VGS = 4.5 V）	QG(TOT)	VGS = 4.5 V，VDS = 48 V；ID = 25 A	4.5	nC
总栅极电荷（VGS = 10 V）	QG(TOT)	VGS = 10 V，VDS = 48 V；ID = 25 A	9.5	nC
阈值栅极电荷	QG(TH)	VGS = 10 V，VDS = 48 V；ID = 25 A	1.0	nC
栅源电荷	QGS		2.0	nC
栅漏电荷	QGD		0.8	nC
平台电压	VGP		2.9	V

开关特性

在 VGS = 10 V，VDS = 48 V，ID = 25 A，RG = 2.5 Ω 的条件下：

• 开通延迟时间 td(ON) 为 6.0 ns。
• 上升时间 tr 为 25 ns。
• 关断延迟时间 td(OFF) 为 16 ns。
• 下降时间 tf 为 2.0 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：TJ = 25°C 时，VSD 在 IS = 25 A 下为 0.9 - 1.2 V；TJ = 125°C 时，VSD 为 0.8 V。
• 反向恢复时间：tRR 为 28 ns，其中充电时间 ta 为 14 ns，放电时间 tb 为 14 ns，反向恢复电荷 QRR 为 18 nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热响应等曲线。这些曲线能够帮助工程师更直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计和优化。

器件订购信息

器件型号	标记	封装	包装数量
NVTFS5C673NLTAG	673L	WDFN8（无铅）	1500 / 卷带
NVTFS5C673NLTWG	673L	WDFN8（无铅）	5000 / 卷带
NVTFS5C673NLWFTAG	73LW	WDFNW8（无铅，可焊侧翼）	1500 / 卷带

机械尺寸

文档详细给出了 WDFN8 和 WDFNW8 两种封装的机械尺寸，包括各尺寸的最小值、标称值和最大值，以及相关的公差和标注说明。这对于 PCB 设计和布局非常重要，工程师可以根据这些尺寸信息来确保器件的正确安装和使用。

总结

NVTFS5C673NL 作为 onsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其小尺寸封装、低导通电阻、低电容、宽温度范围等优势，在电源管理、电机驱动、电池保护等众多领域都具有广阔的应用前景。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，结合器件的各项参数和特性，合理选择和使用该器件，以实现电路系统的高效、稳定运行。你在使用类似 MOSFET 器件时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。