onsemi STMFSC017N15M5 MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率开关器件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下onsemi推出的STMFSC017N15M5 N - 通道MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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一、产品概述

STMFSC017N15M5采用了onsemi先进的PowerTrench®工艺，并融入了屏蔽栅技术。同时，结合了硅和Dual Cool®封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻（rDS(on)），并且具有极低的结到环境热阻。

二、产品特性

1. 先进技术

• 屏蔽栅MOSFET技术：有效降低了开关损耗，提高了开关速度，使器件在高频应用中表现出色。
• Dual Cool™顶部散热DFN8封装：这种封装设计能够提供更好的散热性能，有助于降低器件温度，提高可靠性。

2. 低导通电阻

• 在(V{GS}=10V)，(I{D}=9.3A)时，最大(r{DS(on)}=17mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=7.8A)时，最大(r{DS(on)}=25mΩ)。低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更小，从而提高了电路的效率。

3. 高性能与可靠性

• 经过100% UIL测试，确保了产品的可靠性和一致性。
• 符合RoHS标准，环保且满足相关法规要求。

三、应用领域

1. DC - DC转换器

作为DC - DC转换器中的主MOSFET，能够高效地实现电压转换，提高电源的效率和稳定性。

2. 次级同步整流

在同步整流应用中，该MOSFET可以降低整流损耗，提高电源的整体效率。

3. 负载开关

用于控制负载的通断，能够快速响应，实现对负载的精确控制。

四、电气特性

1. 最大额定值

参数	额定值	单位
漏源电压(V_{DS})	150	V
栅源电压(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25°C)）	(I_{D}) = 40	A
连续漏极电流（(T_{A}=25°C)）	(I_{D}) = 9.3	A
脉冲漏极电流	(I_{D}) = 100	A
单脉冲雪崩能量(E_{AS})	294	mJ
功率耗散（(T_{C}=25°C)）	(P_{D}) = 125	W
功率耗散（(T_{A}=25°C)）	(P_{D}) = 3.2	W
工作和存储结温范围(T{J})，(T{STG})	- 55 至 + 150	°C

2. 静态特性

• 漏源击穿电压(B_{VDS})：在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)时，为150V。
• 零栅压漏极电流(I_{DSS})：在(V{DS}=120V)，(V{GS}=0V)时，为1μA。
• 栅源泄漏电流(I_{GSS})：在(V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V)时，为±100nA。

3. 动态特性

• 输入电容(C_{iss})：在(V{DS}=75V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)时，为2110 - 2955pF。
• 输出电容(C_{oss})：为205 - 290pF。
• 反向传输电容(C_{rss})：为8.1 - 15pF。
• 栅极电阻(R_{g})：为0.1 - 1.5 - 3.0Ω。

4. 开关特性

• 上升时间(t_{r})：在(R_{GEN}=6Ω)时，为29ns。
• 关断延迟时间(t_{d(off)})：未给出具体值。
• 下降时间(t_{f})：为5 - 10ns。
• 栅极电荷(Q_{g})：在(I_{D}=9.3A)时，为30nC。

5. 漏源二极管特性

• 源漏二极管正向电压(V_{SD})：在(V{GS}=0V)，(I{S}=9.3A)时，为0.8 - 1.3V；在(V{GS}=0V)，(I{S}=2.6A)时，为0.7 - 1.2V。
• 反向恢复时间(t_{rr})：在(I = 9.3A)，(di/dt = 100A/μs)时，为79 - 126ns。
• 反向恢复电荷(Q_{rr})：为126 - 176nC。

五、热特性

符号	特性	值	单位
(R_{θJC})（顶部源极）	结到外壳热阻	2.5	°C/W
(R_{θJC})（底部漏极）	结到外壳热阻	1.0	°C/W
(R_{θJA})（不同条件）	结到环境热阻	11 - 81	°C/W

六、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能，从而进行合理的设计。

七、总结

onsemi的STMFSC017N15M5 MOSFET凭借其先进的技术、低导通电阻、良好的散热性能和高可靠性，在DC - DC转换器、同步整流和负载开关等应用中具有很大的优势。作为电子工程师，在选择MOSFET时，需要综合考虑器件的各项特性，结合具体的应用场景，才能充分发挥其性能，设计出高效、稳定的电路。大家在实际应用中，有没有遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。