ON Semiconductor ATP214 N - 通道功率MOSFET：特性、规格与应用考量

ON Semiconductor ATP214 N-Channel Power MOSFET：特性、规格与应用考量

引言

在电子设计领域，功率MOSFET是至关重要的元件，广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。ON Semiconductor的ATP214 N - 通道功率MOSFET以其出色的性能和特性，成为众多工程师的首选。本文将详细介绍ATP214的关键特性、规格参数以及使用注意事项。

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产品概述

ATP214是一款60V、75A、8.1mΩ的单通道N - 通道功率MOSFET，采用ATPAK封装。它具备诸多优秀特性，适用于多种功率应用场景。

特性亮点

1. 低导通电阻：典型导通电阻RDS(on)为6.2mΩ，在4V驱动下也能保持良好的导通性能，有助于降低功率损耗，提高电路效率。
2. 内置保护二极管：为电路提供额外的保护，增强了系统的可靠性。
3. 低输入电容：输入电容Ciss典型值为4850pF，有利于减少开关损耗，提高开关速度。
4. 无卤合规：符合环保要求，满足现代电子产品对绿色环保的需求。

规格参数

绝对最大额定值

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	VDSS		60	V
栅源电压	VGSS		+20	V
漏极电流（直流）	ID		75	A
漏极电流（脉冲10μs）	IDP	PW 10μs，占空比≤1%	225	A
允许功耗	PD	Tc = 25°C	60	W
通道温度	Tch		150	°C
存储温度	Tstg		-55 to +150	°C
雪崩能量（单脉冲）	EAS		94	mJ
雪崩电流	IAV		38	A

需要注意的是，超过最大额定值的应力可能会损坏器件，且在推荐工作条件之外的功能操作并不被保证。长时间暴露在超过推荐工作条件的应力下可能会影响器件的可靠性。

电气特性

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	ID = 1mA，VGS = 0V	60			V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS = 60V，VGS = 0V			1	μA
栅源泄漏电流	IGSS	VGS = 16V，VDS = 0V			±10	μA
截止电压	VGS(off)	VDS = 10V，ID = 1mA	1.2		2.6	V
正向传输导纳	yfs	VDS = 10V，ID = 38A		100		S
静态漏源导通电阻	RDS(on)1	ID = 38A，VGS = 10V		6.2	8.1	mΩ
RDS(on)2	ID = 19A，VGS = 4.5V		8.2	11.5	mΩ
RDS(on)3	ID = 10A，VGS = 4V		9.2	14	mΩ
输入电容	Ciss	VDS = 20V，f = 1MHz		4850		pF
输出电容	Coss		370			pF
反向传输电容	Crss		280			pF
开启延迟时间	td(on)	见指定测试电路		30		ns
上升时间	tr		240			ns
关断延迟时间	td(off)		360			ns
下降时间	tf		250			ns
总栅极电荷	Qg	VDS = 30V，VGS = 10V，ID = 75A		96		nC
栅源电荷	Qgs		18.5			nC
栅漏“米勒”电荷	Qgd		18			nC
二极管正向电压	VSD	IS = 75A，VGS = 0V		0.93	1.2	V

封装与订购信息

封装

ATP214采用ATPAK封装，最小包装数量为3000pcs/卷，包装类型为TL Marking，标记为ATP214 - TL - H。

订购信息

器件	封装	运输数量	备注
ATP214 - TL - H	ATPAK	3000pcs/卷	无铅无卤

开关时间测试电路

开关时间测试电路中，VDD = 30V，ID = 38A，RL = 0.79Ω，PW = 10μs，占空比≤1%。通过该测试电路可以准确测量器件的开关时间特性。

使用注意事项

由于ATP214是MOSFET产品，在使用时应避免将其放置在高电荷物体附近，以免受到静电等因素的影响，导致器件损坏。

总结

ON Semiconductor的ATP214 N - 通道功率MOSFET以其低导通电阻、内置保护二极管、低输入电容等特性，为功率电路设计提供了优秀的解决方案。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求，合理选择和使用该器件，并严格遵守其规格参数和使用注意事项，以确保电路的可靠性和性能。你在使用ATP214或其他功率MOSFET时，是否遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。