深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 沟道功率 MOSFET

引言

在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，广泛应用于各种电源管理、电机驱动等电路中。今天我们要深入探讨的是 ON Semiconductor 推出的 ATP216 N 沟道功率 MOSFET，它具有诸多出色的特性，能为工程师们的设计带来更多便利和可能性。

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产品概述

ATP216 是一款 50V、35A、23mΩ 的单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用了 ATPAK 封装。它具备 1.8V 驱动能力，内部集成了保护二极管，并且符合无卤标准，采用了轻薄的封装设计。

关键特性

低导通电阻

其典型导通电阻 RDS(on) 低至 17mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET 自身的功率损耗较小，能够有效提高电路的效率。低导通电阻还可以减少发热，提高系统的稳定性和可靠性。

低电压驱动

支持 1.8V 驱动，这使得它在一些对驱动电压要求较低的应用中具有很大的优势。例如，在电池供电的设备中，可以减少驱动电路的复杂度和功耗。

保护功能

内部集成的保护二极管可以为电路提供一定的过压保护，防止 MOSFET 因反向电压而损坏。这在一些可能出现电压波动的应用中非常重要。

环保特性

符合无卤标准，满足环保要求，有助于工程师设计出更符合环保法规的产品。

规格参数

绝对最大额定值

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	VDSS	-	50	V
栅源电压	VGSS	-	±10	V
漏极直流电流	ID	-	35	A
漏极脉冲电流（PW ≤ 10 μs）	IDP	PW ≤ 10 μs，占空比 ≤ 1%	105	A
允许功耗	PD	Tc = 25°C	40	W
沟道温度	Tch	-	150	°C
存储温度	Tstg	-	-55 至 +150	°C
雪崩能量（单脉冲）	EAS	-	40	mJ
雪崩电流	IAV	-	17.5	A

这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考，确保 MOSFET 在安全的工作范围内运行。

电气特性

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	ID = 1mA，VGS = 0V	50	-	-	V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS = 50V，VGS = 0V	-	-	1	μA
栅源泄漏电流	IGSS	VGS = ±8V，VDS = 0V	-	-	±10	μA
截止电压	VGS(off)	VDS = 10V，ID = 1mA	0.4	-	1.4	V
正向传输导纳	yfs	VDS = 10V，ID = 18A	-	58	-	S
静态漏源导通电阻	RDS(on)1	ID = 18A，VGS = 4.5V	-	17	23	mΩ
RDS(on)2	ID = 9A，VGS = 2.5V	-	20	28	mΩ
RDS(on)3	ID = 5A，VGS = 1.8V	-	30	45	mΩ
输入电容	Ciss	VDS = 20V，f = 1MHz	-	2700	-	pF
输出电容	Coss	-	-	150	-	pF
反向传输电容	Crss	-	-	110	-	pF
导通延迟时间	td(on)	见指定测试电路	-	27	-	ns
上升时间	tr	-	-	90	-	ns
关断延迟时间	td(off)	-	-	220	-	ns
下降时间	tf	-	-	105	-	ns
总栅极电荷	Qg	VDS = 30V，VGS = 4.5V，ID = 35A	-	30	-	nC
栅源电荷	Qgs	-	5.9	-	nC
栅漏“米勒”电荷	Qgd	-	7.9	-	nC
二极管正向电压	VSD	IS = 35A，VGS = 0V	-	0.96	1.2	V

这些电气特性详细描述了 MOSFET 在不同工作条件下的性能，工程师可以根据具体的应用需求来选择合适的参数。

封装与包装信息

封装

采用 ATPAK 封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性，能够适应不同的应用环境。

包装

最小包装数量为 3000 件/卷，包装类型为 TL。同时，文档中还提供了详细的编带规格，包括载带尺寸、器件放置方向等信息，方便工程师进行自动化生产。

应用注意事项

由于 ATP216 是 MOSFET 产品，在使用时应避免将其放置在高电荷物体附近，以免受到静电等因素的影响。此外，ON Semiconductor 提醒工程师，所有的操作参数（包括典型值）都需要根据具体的客户应用进行验证，以确保产品在实际应用中的性能。

总结

ATP216 N 沟道功率 MOSFET 以其低导通电阻、低电压驱动、保护功能和环保特性等优势，为电子工程师在电源管理、电机驱动等领域的设计提供了一个优秀的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求，合理选择 MOSFET 的参数，并注意应用过程中的一些注意事项，以确保电路的稳定性和可靠性。你在使用功率 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。