onsemi NVHL110N65S3HF MOSFET：高效电源设计的理想之选

在电子工程领域，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能直接影响着电源系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下 onsemi 推出的 NVHL110N65S3HF MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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产品概述

NVHL110N65S3HF 是 onsemi 全新的 SUPERFET III 系列 N 沟道功率 MOSFET，采用了先进的超结（SJ）技术和电荷平衡技术，具备低导通电阻和低栅极电荷的出色性能。这种先进技术旨在最大程度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率，非常适合各种需要小型化和高效率的电源系统。此外，SUPERFET III HF 版本还提供快速恢复功能，可提高高速开关应用中的效率。

关键特性

电气性能

• 耐压与电流能力：该 MOSFET 的漏源电压（VDSS）为 650V，连续漏极电流（ID）在 25°C 时可达 30A，在 100°C 时为 19.5A，脉冲漏极电流（IDM）高达 69A，能够满足多种高功率应用的需求。
• 低导通电阻：典型的导通电阻（RDS(on)）为 89mΩ，在 10V 栅源电压下最大为 110mΩ，有效降低了传导损耗，提高了电源效率。
• 低栅极电荷：总栅极电荷（Qg(tot)）典型值为 58nC，超低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提高开关速度。
• 低输出电容：有效输出电容（Coss(eff.)）典型值为 510pF，可降低开关过程中的能量损耗。

可靠性

• 雪崩测试：经过 100% 雪崩测试，确保了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
• 汽车级认证：NVHL 前缀适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，符合 AEC - Q101 标准，具备 PPAP 能力。
• 环保特性：这些器件无铅、无卤、无 BFR，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用领域

• 汽车车载充电器：在 HEV - EV 汽车的车载充电系统中，NVHL110N65S3HF 的高性能和可靠性能够确保充电过程的高效和稳定。
• 汽车 DC/DC 转换器：为 HEV - EV 汽车的 DC/DC 转换提供高效的功率转换解决方案。

绝对最大额定值与热特性

绝对最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	650	V
栅源电压（DC）	VGSS	±30	V
栅源电压（AC，f > 1Hz）	VGSS	±30	V
连续漏极电流（25°C）	ID	30	A
连续漏极电流（100°C）	ID	19.5	A
脉冲漏极电流	IDM	69	A
单脉冲雪崩能量	EAS	380	mJ
重复雪崩能量	EAR	2.4	mJ
MOSFET dv/dt	dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复 dv/dt		50
功率耗散（25°C）	PD	240	W
25°C 以上降额		1.92	W/°C
工作和存储温度范围	TJ, TSTG	-55 至 +150	°C
焊接时最大引线温度（距外壳 1/8″，5s）	TL	300	°C

热特性

• 结到外壳的热阻（RJC）最大为 0.52°C/W，结到环境的热阻（RJA）最大为 40°C/W，良好的热特性有助于器件在工作过程中保持稳定的温度。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，展示了该 MOSFET 在不同条件下的性能表现，包括导通区域特性、转移特性、导通电阻随温度和电流的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线对于工程师在设计电路时进行性能评估和参数优化非常有帮助。

封装与订购信息

NVHL110N65S3HF 采用 TO - 247 长引脚封装（CASE 340CX），包装方式为管装，每管 30 个。详细的订购和运输信息可在数据手册的第 2 页查看。

总结

onsemi 的 NVHL110N65S3HF MOSFET 凭借其出色的电气性能、高可靠性和环保特性，为电子工程师在设计高效电源系统时提供了一个优秀的选择。无论是在汽车电子还是其他高功率应用领域，它都能发挥重要作用。在实际应用中，工程师可以根据具体的设计需求，结合文档中的典型特性曲线和参数，进行合理的电路设计和优化。你在使用 MOSFET 进行电源设计时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。