深入解析onsemi FDL100N50F MOSFET：性能、特性与应用

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨onsemi推出的FDL100N50F N - 通道MOSFET，详细解析其特性、性能参数以及应用场景。

文件下载：FDL100N50F-D.pdf

一、产品概述

FDL100N50F属于onsemi的UniFET MOSFET家族，该家族基于平面条纹和DMOS技术。这种MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。同时，通过寿命控制技术，增强了其体二极管的反向恢复性能。与普通平面MOSFET相比，其反向恢复时间（trr）小于100 nsec，反向dv/dt抗扰度为15 V/ns，而普通平面MOSFET分别超过200 nsec和4.5 V/nsec。这使得FDL100N50F在某些对MOSFET体二极管性能要求较高的应用中，可以去除额外的组件，提高系统的可靠性。

二、产品特性

1. 低导通电阻

在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=50 A) 的条件下，典型导通电阻 (R_{DS(on)} = 43 mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较小，能够有效提高系统的效率。

2. 低栅极电荷

典型栅极电荷为238 nC。低栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而降低系统的开关损耗。

3. 低 (C_{rss})

典型 (C{rss}) 为64 pF。低 (C{rss}) 有助于提高MOSFET的开关性能，减少米勒效应的影响，使开关过程更加稳定。

4. 雪崩测试

经过100%雪崩测试，表明该MOSFET具有较高的雪崩能量强度，能够承受较大的脉冲电流，提高了系统的可靠性。

5. 改善的dv/dt能力

具有20 V/ns的峰值二极管恢复dv/dt能力，能够更好地应对快速变化的电压，减少开关过程中的电压尖峰和振荡。

6. RoHS合规

符合RoHS标准，环保性能良好，满足现代电子产品对环保的要求。

三、产品参数

1. 最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压 (V_{DSS})	500	V
栅源电压 (V_{GSS})	± 30	V
连续漏极电流（(T{C}=25^{circ}C)） (I{D})	100	A
连续漏极电流（(T{C}=100^{circ}C)） (I{D})	60	A
脉冲漏极电流 (I_{DM})	400	A
单脉冲雪崩能量 (E_{AS})	5000	mJ
雪崩电流 (I_{AR})	100	A
重复雪崩能量 (E_{AR})	73.5	mJ
功率耗散（(T{C}=25^{circ}C)） (P{D})	2500	W
25°C以上的降额系数	20	W/°C
工作和存储温度范围 (T{J}, T{STG})	-55 至 +150	°C
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8”，5秒） (T_{L})	300	°C

2. 热特性

参数	数值	单位
结到外壳的热阻 (R_{θJC})（最大）	0.05	°C/W
结到环境的热阻 (R_{θJA})（最大）	30	°C/W

3. 电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压 (BVDSS)、击穿电压温度系数 (Delta BV{DSS} / Delta T{J})、零栅压漏极电流 (DSS) 和栅体泄漏电流 (IGSS) 等参数。
• 导通特性：如栅极阈值电压 (V{GS(th)})、静态漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 和正向跨导 (9FS)。
• 动态特性：涵盖输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss})、反向传输电容 (C{rss})、总栅极电荷 (Q{g(tot)})、栅源栅极电荷 (Q{gs}) 和栅漏“米勒”电荷 (Q{gd}) 等。
• 开关特性：包括导通延迟时间 (td(on))、导通上升时间 (t)、关断延迟时间和关断下降时间 (tf)。
• 漏源二极管特性：有最大连续漏源二极管正向电流 (Is)、最大脉冲漏源二极管正向电流、漏源二极管正向电压 (VSD)、反向恢复时间 (tr) 和反向恢复电荷。

四、应用场景

FDL100N50F适用于多种开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器等。同时，还可用于不间断电源（UPS）和AC - DC电源等领域。在这些应用中，FDL100N50F的高性能特性能够充分发挥作用，提高系统的效率和稳定性。

五、总结

onsemi的FDL100N50F MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷、低 (C_{rss})、高雪崩能量强度和改善的dv/dt能力等特性，在开关电源转换器等应用中具有显著的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该MOSFET的性能参数，以提高系统的效率和可靠性。同时，在实际应用中，还需要根据具体的设计要求和工作条件，对MOSFET的参数进行进一步的验证和优化。你在使用MOSFET进行设计时，是否遇到过类似的参数选择和优化问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。