深入剖析 onsemi FCH47N60F：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电力电子领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着电源转换系统的效率和可靠性。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司推出的 FCH47N60F 这款 N 沟道 MOSFET，看看它在实际应用中究竟有何独特之处。

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产品简介

FCH47N60F 属于 onsemi 的 SUPERFET MOSFET 系列，这是该公司第一代采用超结（SJ）技术的高压 MOSFET 产品。超结技术利用电荷平衡原理，显著降低了导通电阻，同时减少了栅极电荷，从而在降低传导损耗的同时，提供了出色的开关性能、dv/dt 率和更高的雪崩能量。此外，其优化的体二极管反向恢复性能，能够减少额外元件的使用，提高系统的可靠性。

产品特性

电气性能

• 耐压与电流能力：该 MOSFET 的漏源击穿电压（BVDSS）在 25°C 时为 600V，在 150°C 时可达 650V，连续漏极电流（ID）在 25°C 时为 47A，在 100°C 时为 29.7A，脉冲漏极电流（IDM）可达 141A，能够满足多种高功率应用的需求。
• 低导通电阻：典型的静态漏源导通电阻（RDS(on)）为 58mΩ，最大为 73mΩ（@10V，47A），有效降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
• 低栅极电荷：典型的总栅极电荷（Qg）为 210nC，能够实现快速的开关动作，减少开关损耗。
• 低输出电容：典型的有效输出电容（Coss eff.）为 420pF，有助于降低开关过程中的能量损耗。

其他特性

• 雪崩测试：该器件经过 100% 雪崩测试，具有较高的雪崩能量（EAS 为 1800mJ，EAR 为 41.7mJ），能够承受瞬间的高能量冲击，提高了系统的可靠性。
• 环保特性：该器件为无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用领域

FCH47N60F 适用于多种开关电源应用，包括功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源和工业电源等。此外，它还可用于太阳能逆变器和 AC - DC 电源供应等领域。

绝对最大额定值

在使用 FCH47N60F 时，需要注意其绝对最大额定值，以确保器件的安全可靠运行。以下是一些关键的绝对最大额定值：	参数	符号	数值	单位
漏源电压	V DSS	600	V
连续漏极电流（25°C）	I D	47	A
连续漏极电流（100°C）	I D	29.7	A
脉冲漏极电流	I DM	141	A
栅源电压	V GSS	±30	V
单脉冲雪崩能量	E AS	1800	mJ
雪崩电流	I AR	47	A
重复雪崩能量	E AR	41.7	mJ
峰值二极管恢复 dv/dt	dv/dt	50	V/ns
功率耗散（25°C）	P D	417	W
25°C 以上降额系数	-	3.33	W/°C
工作和存储温度范围	T J, T STG	- 55 至 + 150	°C
焊接用最大引脚温度	T L	300	°C

需要注意的是，超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热特性对于 MOSFET 的性能和可靠性至关重要。FCH47N60F 的热阻参数如下：

• 结到外壳热阻（RJC）：最大为 0.3°C/W。
• 结到环境热阻（RJA）：最大为 41.7°C/W。

这些热阻参数有助于工程师在设计散热系统时，确保器件在正常工作温度范围内运行。

典型特性曲线

文档中提供了多个典型特性曲线，直观地展示了 FCH47N60F 在不同条件下的性能表现。例如，导通区域特性曲线显示了漏极电流与漏源电压之间的关系；转移特性曲线展示了漏极电流与栅源电压之间的关系；导通电阻变化曲线则反映了导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化情况。这些曲线对于工程师在设计电路时，选择合适的工作点和优化电路性能具有重要的参考价值。

封装与订购信息

FCH47N60F 采用 TO - 247 - 3LD 封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。在订购时，需要注意具体的型号和包装规格，以确保满足设计需求。

总结

FCH47N60F 作为 onsemi 公司的一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其超结技术带来的低导通电阻、低栅极电荷和高雪崩能量等特性，在开关电源应用中具有显著的优势。无论是提高电源转换效率，还是增强系统的可靠性，FCH47N60F 都能提供出色的解决方案。工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的特性和参数，以实现最佳的设计效果。你在使用 MOSFET 时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。