onsemi FCH47N60：N沟道SUPERFET II MOSFET的卓越性能与应用

在电子工程师的日常工作中，选择合适的MOSFET至关重要。今天，我们来深入了解一下onsemi的FCH47N60 N沟道SUPERFET II MOSFET，看看它有哪些独特的性能和应用场景。

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产品概述

SUPERFET MOSFET是onsemi第一代利用电荷平衡技术的高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术使得该系列产品具备出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能，能够最小化导通损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高的雪崩能量。因此，它非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

关键特性

电气性能出色

• 高耐压：在(T_{J}=150^{circ} C)时，可承受650V的电压，漏极 - 源极电压额定值为600V。
• 低导通电阻：典型值(R_{DS(on)}=58 ~m Omega)，有助于降低导通损耗，提高电源效率。
• 超低栅极电荷：典型值(Q_{g}=210 nC)，能够实现快速开关，减少开关损耗。
• 低有效输出电容：典型值(C_{oss(eff.) }=420 pF)，有利于提高开关速度和降低开关损耗。

可靠性高

• 100%经过雪崩测试：确保产品在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
• 符合RoHS标准：环保无铅，符合现代电子设备的环保要求。

最大额定值与热性能

最大额定值

符号	参数	FCH47N60 F133	单位
Vpss	漏极 - 源极电压	600	V
VGsS	栅极 - 源极电压	±30	V
ID	漏极电流（连续，(Tc=25°C)）	47	A
ID	漏极电流（连续，(Tc= 100°C)）	29.7	A
IDM	漏极电流（脉冲）	141	A
EAS	单脉冲雪崩能量	1800	mJ
IAR	雪崩电流	47	A
EAR	重复雪崩能量	41.7	mJ
dv/dt	二极管恢复dv/dt峰值	4.5	V/ns
PD	功耗（(Tc=25°C)）	417	W
超过25°C时降额		3.33	W/°C
TJTSTG	工作和存储温度范围	-55至 +150	℃
TL	用于焊接的最高引脚温度（距离外壳1/8"，持续5秒）	300	℃

热性能

符号	参数	FCH47N60 F133	单位
RBJC	结至外壳热阻最大值	0.3	°C/W
ReJA	外壳与散热器之间的热阻典型值	0.24	°C/W
ReJA	结至环境热阻最大值	41.7	°C/W

从这些数据可以看出，FCH47N60在额定值和热性能方面表现出色，能够在不同的工作条件下稳定运行。

电气特性

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(th)})在(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 A)时，范围为3.0 - 5.0V。
• 漏极 - 源极静态导通电阻：(R{DS(on)})在(V{GS} = 10 V)，(I_{D} = 23.5 A)时，范围为0.058 - 0.070 Ω。
• 正向跨导：(g{FS})在(V{DS}= 40 V)，(I_{D} = 23.5 A)时，为40 S。

动态特性

• 输入电容：(C{iss})在(V{DS} = 25 V)，(V_{S} =0V)，(f = 1.0 MHz)时，范围为5900 - 8000 pF。
• 输出电容：(C{oss})在不同条件下有不同的值，如(V{DS} = 480 V)，(V{GS} = 0V)，(f = 1.0 MHz)时为160 pF；(V{DS} = 0V)至400 V，(V{GS} = 0V)时，有效输出电容(C{oss(eff.)})为420 pF。
• 反向传输电容：(C_{rss})为250 pF。

开关特性

• 导通延迟：(t_{d(on)})范围为185 - 430 ns。
• 关断延迟：(t_{d(off)})为520 ns。

漏极 - 源极二极管特性

• 最大正向连续电流：(I_{S})为47 A。
• 最大正向脉冲电流：(I_{SM})为141 A。

这些电气特性为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据，帮助他们优化电路性能。

应用领域

FCH47N60的出色性能使其在多个领域得到广泛应用：

• 光伏逆变器：在光伏系统中，需要高效的功率转换和可靠的开关性能，FCH47N60的低导通电阻和高耐压特性能够满足这一需求。
• AC - DC电源：无论是服务器、电信设备还是平板电视等的电源，都需要稳定的电源供应，FCH47N60可以提高电源的效率和可靠性。

封装与定购信息

FCH47N60采用TO - 247封装，包装方法为塑料管，每管30单元。在定购时，需要注意详细的定购和运输信息，可以参考数据手册的第2页。

总结

onsemi的FCH47N60 N沟道SUPERFET II MOSFET以其出色的性能、高可靠性和广泛的应用领域，成为电子工程师在开关电源设计中的理想选择。在实际应用中，工程师可以根据具体的电路需求，充分发挥其优势，优化电路性能。大家在使用过程中是否遇到过类似MOSFET的应用难题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。