MAX1748/MAX8726:TFT - LCD的高效三输出DC - DC转换器
在TFT - LCD的电源设计中,高效且稳定的DC - DC转换器至关重要。今天要给大家介绍的MAX1748/MAX8726三输出DC - DC转换器,就是这样一款能满足多种需求的优秀产品。
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一、产品概述
MAX1748/MAX8726采用超薄TSSOP封装(最大高度1.1mm),能将+3.3V至+5V的输入电源电压转换为三个独立的输出电压,为有源矩阵薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)提供所需的稳压。它包含一个高功率DC - DC转换器和两个低功率电荷泵。
主要特性
- 三个集成的DC - DC转换器:一个1MHz电流模式PWM升压调节器和两个电荷泵输出。
- 高功率主输出:主升压转换器可产生高达13V的输出电压(VMAIN),精度达±1%,效率最高可达93%。
- 电荷泵输出:正电荷泵输出最高可达+40V,负电荷泵输出最低可达 - 40V。
- 内部电源排序:电源开启顺序为VMAIN先,VNEG其次,最后是VPOS。MAX1748在每个电源完成后立即软启动下一个电源,而MAX8726在VMAIN和VNEG、VNEG和VPOS的启动之间增加了延迟。
- 其他特性:内部功率MOSFET、+2.7V至+5.5V输入电源、0.1µA关断电流、0.6mA静态电流、内部软启动、电源就绪输出以及使用超小外部组件。
二、电气特性
输入电源相关
输入电源范围为2.7V至5.5V,输入欠压阈值典型值为2.4V(上升沿,40mV迟滞)。静态电流方面,IN引脚在特定条件下为0.6 - 1mA,SUPP和SUPN引脚在相应条件下为0.4 - 0.8mA。关断电流在VSHDN = 0时,各引脚均低至0.1 - 10µA。
主升压转换器
输出电压范围从输入电压到13V,FB调节电压在0°C至+85°C为1.235 - 1.261V。工作频率为0.85 - 1.15MHz,振荡器最大占空比为78 - 90%。负载调节和线性调节性能良好,分别为0.2%和0.1% / V。LX开关导通电阻在ILX = 100mA时为0.35 - 0.7Ω,LX泄漏电流在VLX = 13V时为0.01 - 20µA。
正电荷泵
VSUPP输入电源范围为2.7 - 13.0V,工作频率为0.5 x fOSC。FBP调节电压为1.20 - 1.30V,DRVP的PCH和NCH导通电阻在不同条件下有所不同。
负电荷泵
VSUPN输入电源范围为2.7 - 13.0V,工作频率同样为0.5 x fOSC。FBN调节电压为 - 50 - +50mV,DRVN的PCH和NCH导通电阻也因条件而异。
参考电压
参考电压在 - 2µA < IREF < +50µA时为1.231 - 1.269V,参考欠压阈值在上升沿为0.9 - 1.2V。
逻辑信号
SHDN输入低电压典型值为0.9V(0.4V迟滞),高电压为2.1V。SHDN输入电流为0.01 - 1µA,RDY输出低电压在ISINK = 2mA时为0.25 - 0.5V,高电压时泄漏电流为0.01 - 1µA。
三、工作原理
主升压转换器
以1MHz的内部振荡器频率开关,通过调制MOSFET开关脉冲宽度来控制每个开关周期的功率传输并调节输出电压。在PWM操作期间,内部时钟上升沿触发触发器,开启n沟道MOSFET,当电压误差、斜率补偿和电流反馈信号之和触发多输入比较器时,开关关闭。
双电荷泵调节器
包含两个独立的低功率电荷泵。负电荷泵在第一个半周期,p沟道MOSFET开启,飞跨电容C5充电;第二个半周期,p沟道MOSFET关闭,n沟道MOSFET开启,实现电荷转移。正电荷泵在第一个半周期,n沟道MOSFET开启给飞跨电容C3充电;第二个半周期,n沟道MOSFET关闭,p沟道MOSFET开启,完成电荷转移。
四、设计要点
主升压转换器
- 输出电压选择:通过连接从输出(VMAIN)到FB再到GND的分压器来调整输出电压,R2选择在10kΩ至20kΩ范围,根据公式(R1 = R2 [ (VMAIN / VREF ) - 1])计算R1,其中VREF = 1.25V。
- 反馈补偿:为保证稳定性,在FB到GND之间添加由串联电阻(RCOMP)和电容(CCOMP)组成的零极点对,RCOMP为R2的一半。
- 电感选择:电感选择需考虑输入电压、输出电压、最大电流、开关频率等因素。选择LIR在0.3至0.5之间,通过公式计算峰值电感电流和电感值。建议使用铁氧体磁芯电感,其最大电流额定值应超过IPEAK,直流电阻应小于内部n沟道FET电阻。
- 输出电容:多数应用中10µF电容效果良好,低ESR陶瓷电容可提高性能,高容量低ESR钽电容适用于高峰值电流负载瞬变。
- 输入电容:输入电容(CIN)可减少输入电源的电流峰值和噪声注入,一般CIN与COUT取相同值。
- 积分电容:连接470pF电容到INTG可启用电流积分器以提高直流负载调节精度;将INTG连接到REF并添加100kΩ电阻到GND可禁用积分器以减少峰 - 峰瞬态电压。
- 整流二极管:使用肖特基二极管,平均电流额定值应等于或大于峰值电感电流,电压额定值至少为主输出电压(VMAIN)的1.5倍。
电荷泵
- 效率考虑:效率特性类似于线性调节器,最大效率可近似计算,负电荷泵为(Efficiency cong V{N E G} /left[V{I N} × Nright]),正电荷泵为(Efficiency cong V{POS} /left[V{IN} times(N+1)right]),N为电荷泵级数。
- 输出电压选择:通过连接从输出到FBP或FBN再到GND或REF的分压器来调整输出电压,R4和R6选择在50kΩ至100kΩ范围,根据公式计算其他电阻。
- 飞跨电容:初始选择0.1µF陶瓷电容,低电流应用可使用较小值。
- 电荷泵输出电容:增加输出电容或降低ESR可减少输出纹波电压和峰 - 峰瞬态电压,根据公式(COUT geq[ IOUT /(500 kHz × VRIPPLE)])近似计算所需电容值。
- 电荷泵输入电容:使用值等于或大于飞跨电容的旁路电容,靠近IC放置并直接连接到PGND。
- 整流二极管:使用肖特基二极管,电流额定值等于或大于平均输出电流的4倍,正电荷泵电压额定值至少为VSUPP的1.5倍,负电荷泵为VSUPN的1.5倍。
五、PCB布局和接地
精心的印刷电路板布局对于减少接地反弹和噪声至关重要。主升压转换器输出二极管和输出电容应靠近LX和PGND引脚,电荷泵输入引脚附近放置0.1µF陶瓷旁路电容。反馈电阻分压器应靠近相应反馈引脚,PCB应设置单独的GND和PGND区域并在IC下方单点连接,使用宽功率接地迹线以提高输出功率和效率。
六、应用拓展
对于需要输出电压大于13V的应用,可级联一个外部n沟道MOSFET。选择导通电阻(RDS(ON))低于内部n沟道MOSFET且漏极电压额定值高于主输出电压(VMAIN)的MOSFET。
在实际设计中,大家是否遇到过类似DC - DC转换器在布局或参数选择上的难题呢?不妨在评论区分享一下你的经验和问题。
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