选型手册：VST009N15HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VST009N15HS-G是一款面向 150V 中高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，适配中高压电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：150V，适配中高压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值9.0mΩ，中高压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时105A，\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为74A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：284A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：结合 Osg、Ogd 参数优化，兼顾快速开关与低开关损耗，提升中高压场景能效；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 576mJ，感性负载开关稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	150	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	105	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 105；\(T=100^\circ\text{C}\): 74	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	284	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	576	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	288	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	0.43 / 0.52	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-220AB 直插封装，包装规格为 50pcs/Tube，适配大电流散热需求的电路设计；
• 典型应用：
  • 150V 级中高压 DC/DC 转换器开关管；
  • 工业设备的中高压电源管理系统；
  • 中功率负载的中高压通断控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）