选型手册：VSD950N70HS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSD950N70HS是一款面向 700V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配高压电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（超结工艺）
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.88Ω，高压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时5A，\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为3.2A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：20A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 超结工艺（Super Junction）：兼顾高压耐压与较低的导通电阻，提升高压场景能效；
• 低栅极电荷：极致低栅极电荷特性，降低开关损耗；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 97mJ，抗冲击能力强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	700	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±30	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	5	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 5；\(T=100^\circ\text{C}\): 3.2	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	20	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	97	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 42；\(T=100^\circ\text{C}\): 17	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	3.0	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配高压小型化电路设计；
• 典型应用：
  • 700V 级高压 DC/DC 转换器开关管；
  • 工业设备的高压电源管理系统；
  • 光伏、适配器等高压场景的功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）