探索 onsemi NTMTS1D2N08H N 沟道功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。今天，我们来深入了解 onsemi 推出的 NTMTS1D2N08H 单 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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产品概述

NTMTS1D2N08H 是 onsemi 生产的一款 80V、1.1mΩ、335A 的 N 沟道功率 MOSFET。它采用了 8x8mm 的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。同时，该器件具有低导通电阻 (R{DS(on)}) 和低栅极电荷 (Q{G}) 及电容，能够有效降低导通损耗和驱动损耗。此外，它还是无铅产品，符合 RoHS 标准。

关键特性

封装与设计

• 小尺寸封装：8x8mm 的封装尺寸，为紧凑型设计提供了可能，在空间有限的应用场景中具有明显优势。
• 环保设计：无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求，有助于产品在市场上的推广。

电气性能

• 低导通电阻：低 (R{DS(on)}) 能够有效减少导通损耗，提高电路效率。例如，在 (V{GS}=10V)、(I{D}=90A) 的条件下，(R{DS(on)}) 最大值仅为 1.1mΩ。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容可以降低驱动损耗，提高开关速度，使电路响应更加迅速。

最大额定值

电压与电流

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	+20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	-	A
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	41	A
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	(I_{DM})	900	A
源极电流（体二极管）	(I_{S})	335	A

功率与温度

参数	条件	符号	值	单位
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	-	(P_{D})	300	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	-	(P_{D})	150	W
功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	-	(P_{D})	5	W
功率耗散（(T_{A}=100^{circ}C)）	-	(P_{D})	2.5	W
工作结温和存储温度范围	-	(T{J})，(T{stg})	-55 至 +150	°C

其他参数

参数	条件	符号	值	单位
单脉冲漏源雪崩能量（(L = 3mH)，(I_{L(pk)} = 34A)）	-	(E_{AS})	1734	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8"，10s）	-	(T_{L})	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)、(I_{D}=250A) 时为 80V，其温度系数为 57mV/°C。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)、(V{DS}=80V) 时，(T{J}=25^{circ}C) 为 10μA，(T_{J}=125^{circ}C) 为 250μA。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)、(V_{GS}=20V) 时为 100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=590A) 时，最小值为 2.0V，典型值为 2.9V，最大值为 4.0V，其阈值温度系数为 -7.6mV/°C。
• 漏源导通电阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)、(I{D}=90A) 时，最小值为 0.93mΩ，最大值为 1.1mΩ；在 (V{GS}=6V)、(I_{D}=59A) 时，最小值为 1.28mΩ，最大值为 1.6mΩ。
• 正向跨导：(g{FS}) 在 (V{DS}=15V)、(I_{D}=90A) 时为 400S。

电荷、电容与栅极电阻

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电容	(V{GS}=0V)，(f = 500kHz)，(V{DS}=40V)	-	-	10100	pF
输出电容	-	-	-	1455	pF
反向传输电容	-	-	-	43	pF
总栅极电荷	-	-	147	nC
阈值栅极电荷	-	-	27	nC
栅源电荷	(V{GS}=10V)，(V{DS}=64V)，(I_{D}=90A)	-	41	nC
栅漏电荷	-	-	32	nC
平台电压	-	-	4	V

开关特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
开启延迟时间	-	-	29	-	ns
上升时间	(V{GS}=10V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=90A)，(R{G}=2.5Ω)	-	14	-	ns
关断延迟时间	-	-	66	-	ns
下降时间	-	-	19	-	ns

漏源二极管特性

参数	测试条件	(T = 25^{circ}C)	(T = 125^{circ}C)	单位
正向二极管电压	(V{GS}=0V)，(I{S}=90A)	0.8 - 1.2	0.6	V
反向恢复时间	(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)	-	-	84	ns
反向恢复电荷	(I_{S}=90A)	-	-	189	nC

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热响应等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现。

封装与订购信息

封装尺寸

该器件采用 TDFNW8 封装，尺寸为 8.30x8.40x1.10mm，引脚间距为 2.00mm。文档中详细给出了封装的机械尺寸图和相关公差要求。

订购信息

器件型号为 NTMTS1D2N08H，标记为 NTMTS1D2N08H，封装为 DFNW8（无铅），每盘 3000 个，采用带盘包装。如需了解带盘规格，可参考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

总结

NTMTS1D2N08H 是一款性能出色的 N 沟道功率 MOSFET，具有小尺寸、低损耗等优点，适用于各种功率转换和电源管理应用。工程师在设计电路时，可以根据其最大额定值、电气特性和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现高效、可靠的电路设计。同时，在使用过程中要注意避免超过最大额定值，确保器件的正常工作和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。