探索 onsemi 单相逆变器汽车功率 MOSFET 模块 NXV08A170DB2

在汽车电子领域，功率 MOSFET 模块扮演着至关重要的角色，尤其是在电机控制等应用场景中。今天，我们就来深入了解一下 onsemi 的单相逆变器汽车功率 MOSFET 模块 NXV08A170DB2，看看它有哪些独特的特性和优势。

文件下载：NXV08A170DB2-D.PDF

一、产品特性与优势

特性亮点

• 多功能集成：该模块是用于变速电机驱动的半桥逆变器，集成了电流传感和温度传感功能，并且采用了电气隔离的 DBC 基板，具有低热阻特性。
• 紧凑设计：其紧凑的设计有助于降低模块的总电阻，同时支持模块序列化，可实现完整的可追溯性。
• 低 EMI 设计：配备了 C 缓冲器，能够有效降低电磁干扰（EMI）。
• 高可靠性认证：通过了 AQG324 认证，具备 PPAP 能力，符合 Pb - free、RoHS 和 UL94 - V0 标准。

应用与效益

• 应用场景：主要应用于 48V 电机控制。
• 带来的效益：能够助力设计出小型、高效且可靠的系统，从而降低车辆的燃油消耗和 (CO_{2}) 排放。同时，低热阻特性使得系统散热更好，还简化了车辆的组装过程。

二、产品标识与订购信息

标识说明

模块的标识包含了多种信息，如具体设备代码（NXV08A170DB2）、批次 ID（ZZZ）、组装和测试地点（AT）、年份（Y）、工作周（WW）以及序列号（NNN）等。

订购详情

订购和运输的详细信息可在数据表的第 10 页找到。

三、引脚配置与功能

引脚编号	引脚名称	引脚描述
1	Q2LG	低侧 MOSFET（Q2）栅极
2	Q2LS	低侧 MOSFET（Q2）源极传感
3	NTC +	热敏电阻 1
4	NTC -	热敏电阻 2
5	Shunt N	分流器 N
6	Shunt P	分流器 P
7	Q1HS	高侧 MOSFET（Q1）源极传感
8	VLINK	B + 传感
9	Q1HG	高侧 MOSFET（Q1）栅极
10	B +	B + 连接
11	GND	接地连接
12	POUT	相位连接

四、电气与热特性

绝对最大额定值

符号	参数	值	单位
(V_{DS})	漏源电压	80	V
(V_{GS})	栅源电压	± 20	V
(I_{D})	连续漏极电流（注 1）	200	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量（注 2）	685	mJ
(T_{J(max)})	最大结温	175	°C
(T_{STG})	储存温度范围	- 40 ~ +125	°C
(V_{ISO})	隔离电压	2000	(V_{rms})

注 1：由设计定义，不进行生产测试。该值是计算结果，取自（封装极限最大电流，硅极限最大电流）中的最小值，其中硅极限电流基于最大热限制和电阻计算得出，且不超过 (T{J}=175^{circ}C)。注 2：起始 (T{J}=25^{circ}C)，(L = 0.47mH)，(I{AS}=54A)，电感充电时 (V{DD}=80V)，雪崩期间 (V_{DD}=0V)。

热特性

符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
(R_{aJC})	结到外壳热阻（注 3）			0.82	K/W

注 3：测试方法符合 MIL - STD - 883 - 1012.1，外壳温度在封装下方芯片中心处测量，允许 DBC 表面有轻微氧化和变色。

电气特性

这里包含了多种电气参数，如漏源击穿电压、漏源泄漏电流、栅源泄漏电流、栅源阈值电压等，在不同的测试条件下有相应的数值范围。例如，在 (I{D}=250A)，(V{GS}=0V) 时，漏源击穿电压 (B{VSS}) 为 80V；在 (V{DS}=80V)，(V{GS}=0V) 时，漏源泄漏电流 (I{DSS}) 最大为 1μA。

五、典型特性曲线

数据手册中提供了一系列典型特性曲线，包括归一化功率损耗与外壳温度、最大连续漏极电流与外壳温度、传输特性、正向二极管特性等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解模块在不同工作条件下的性能表现，从而在设计中做出更合理的选择。

六、机械特性与封装

机械特性

参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
器件平整度	参考封装尺寸	0		100	μm
安装扭矩	安装螺丝 - M3，推荐 0.7N - m	0.6		1.4	N - m
重量			10		g
压缩测试	最大负载，测试速度：0.5mm/min（注 7）			22	kN

注 7：通过实验保证，仅在确认的条件下有效。

封装信息

该模块采用 APM12 - CBA 封装，为无铅且符合 RoHS 标准，包装方式为托盘包装。

七、总结与思考

onsemi 的 NXV08A170DB2 功率 MOSFET 模块在汽车 48V 电机控制领域具有众多优势，其多功能集成、紧凑设计、低 EMI 等特性使其成为一个颇具吸引力的选择。然而，在实际应用中，工程师还需要根据具体的项目需求，仔细评估其电气和热特性，合理选择工作条件，并注意封装和安装的要求。大家在过往的项目中，是否使用过类似的功率 MOSFET 模块呢？在应用过程中遇到过哪些问题又是如何解决的呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。