选型手册：MOT2176D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向 20V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)时典型值5.6mΩ，\(V_{GS}=2.5V\)时典型值6.8mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)时25A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为16A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达100A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 低导通电阻：5.6~6.8mΩ 导通电阻设计，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗，提升电源转换效率；
• 高可靠性与鲁棒性：通过 100% UIS（单向雪崩耐量）和 Rg 测试，保障异常工况下的电路可靠性；
• 环保合规：RoHS 合规且无卤，适配绿色电子制造需求；
• 多封装适配：采用 TO-252 表面贴装封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的空间约束。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±12V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：13W，实际应用需结合 PCB 敷铜、散热焊盘等设计保障长期可靠工作；
• 雪崩特性：单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）49mJ，感性负载开关场景下可靠性强；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；
• 典型应用：
  • 便携设备与电池供电系统：为手机、平板等便携设备的电源回路提供高效开关控制，保障续航与性能；
  • 笔记本电脑电源管理：在笔记本的电源分配、电压调节环节作为核心开关器件，实现低损耗功率管理。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）