选型手册：MOT4025G 互补增强型 MOSFET

仁懋电子（MOT）推出的MOT4025G是一款互补增强型 MOSFET，集成 N 沟道与 P 沟道管，凭借 40V 耐压、超低导通电阻及优异开关特性，适用于电机驱动、DC-DC 转换器等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。

一、产品基本信息

• 器件类型：互补增强型 MOSFET（N 沟道 + P 沟道）
• 耐压规格：漏源极耐压（\(V_{DS}\)）均为40V
• 导通电阻：
  • N 沟道：\(V_{GS}=10V\)时典型17mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型22mΩ；
  • P 沟道：\(V_{GS}=-10V\)时典型29mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)时典型34mΩ。

二、核心特性

• 先进沟槽单元设计：采用超级 trench 结构，大幅降低导通电阻，提升电流密度，适配大电流功率转换；
• 互补架构优势：N 沟道与 P 沟道管协同工作，简化电机驱动、DC-DC 转换器的拓扑设计；
• 低热阻与高可靠性：结到壳热阻（\(R_{JC}\)）3.6℃/W，保障大功耗工况下的结温控制，工作温度范围-55~+150℃；
• 高频开关适配：动态电容（输入、输出、反向传输电容）优化，开关时间（导通延迟、上升 / 下降时间）达纳秒级，适合高频 PWM 控制。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	N 沟道	P 沟道	单位
连续漏极电流（\(I_D\)）		28A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）19.8A（\(T_c=100^\circ\text{C}\)）	-15A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）-10.6A（\(T_c=100^\circ\text{C}\)）	A
脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）		70A	-60A	A
最大功耗（\(P_D\)）		35W	35W	W
栅源极电压（\(V_{GS}\)）		±20V	±20V	V
阈值电压（\(V_{GS(th)}\)）	\(V_{GS(th)}\)	1.0~2.0V	-2.0~-1.0V	V
动态电容（典型值）	\(C_{iss}\)/\(C_{oss}\)/\(C_{rss}\)	964pF/109pF/96pF	-	pF
开关时间（典型值）	导通延迟 / 上升时间 / 关断延迟 / 下降时间	5.5ns/14ns/5ns/24ns	-	ns

四、应用场景

• 电机驱动：利用互补架构实现电机的正反转控制，低导通电阻特性降低驱动损耗，提升电机效率；
• DC-DC 转换器：在同步整流、降压 / 升压拓扑中作为主开关管，高频开关特性与低损耗设计提升电源转换效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）