1. 产品概述
2. 关键参数
- 导通电阻:高边+低边MOSFET合计95mΩ(25°C时)。
- 电流能力:8A峰值电流(持续电流需考虑散热)。
- PWM频率:最高200kHz。
- 睡眠模式:静态电流低至2.5μA(nSLEEP=0时)。
3. 功能亮点
- 电流检测与调节:
- 控制模式:
- 6x PWM模式:独立控制每相高低边MOSFET。
- 3x PWM模式:简化控制逻辑,适合传感器less应用。
- 电流限制模式:通过ILIM引脚设置阈值,支持周期逐限流。
- 主动消磁(Active Demagnetization) :减少二极管导通损耗,提升效率。
4. 典型应用
- 场景:
- 汽车LIDAR、小型风扇/泵、执行器。
- 驱动负载:12V BLDC电机(功率<40W)、电磁阀、TEC模块。
- 设计要点:
- 需外接1μF(CP)、47nF(CPH-CPL)电容,建议低ESR陶瓷电容靠近VM引脚。
- 布局时需注意散热设计(VQFN封装热阻22.2°C/W)。
5. 保护机制
- 电压保护:UVLO(4.3V)、OVP(34V可调)。
- 电流保护:OCP(16A/24A可选),支持锁存、自动重试等模式。
- 温度保护:OTW(145°C预警)、OTSD(180°C关断)。
- 故障指示:nFAULT引脚输出,SPI可读取详细故障状态。
6. 对比硬件与SPI版本
- DRV8316CR-Q1(SPI版) :支持5MHz SPI配置寄存器及诊断。
- DRV8316CT-Q1(硬件版) :通过电阻配置关键参数(如增益、OCP阈值)。
7. 设计注意事项
- 热管理:计算总功耗需考虑导通损耗(P=I²RDS(ON))和开关损耗。
- 布局建议:VM引脚需就近放置0.1μF陶瓷电容+大容量电解电容,散热焊盘多过孔接地。
8. 典型性能曲线
- 提供导通电阻随温度变化、Buck效率与负载关系等曲线(见手册第7.8节)。
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