Onsemi NTD14N03R和NVD14N03R MOSFET深度解析

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是一种常用的功率器件，它在众多电路设计中发挥着关键作用。今天，我们就来深入了解一下Onsemi公司的NTD14N03R和NVD14N03R这两款N沟道功率MOSFET。

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产品特性

高性能工艺

这两款MOSFET采用了平面HD3e工艺，具备快速开关性能。这种工艺带来了诸多优势，比如低导通电阻 (R{DS(on)}) ，能够有效降低导通损耗；低输入电容 (C{iss}) ，可减少驱动损耗；同时，它的栅极电荷也很低。这些特性使得它们在高效DC - DC转换器的高端开关应用中表现出色。

应用广泛

NVD和SVD前缀的型号适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。此外，这些器件是无铅的，符合RoHS标准，满足环保要求。

最大额定值

电压与电流

• 漏源电压 (V{DSS}) 最大为25Vdc，栅源电压 (V{GS}) 连续值为±20Vdc。
• 在 (T_A = 25°C) 时，连续漏极电流 (I_D) 为14A，芯片连续电流为11.4A，单脉冲电流（(t_p ≤ 10 s)）可达28A。

热阻与功耗

• 结到外壳的热阻 (R_{JC}) 为6.0°C/W，在 (T_A = 25°C) 时，总功耗 (P_D) 为20.8W。
• 结到环境的热阻 (R{JA}) 根据不同的安装条件有所不同：当表面安装到0.5平方英寸焊盘尺寸的FR4板上时，(R{JA}) 为80°C/W，(P_D) 为1.56W，(ID) 为3.1A；当安装到最小推荐焊盘尺寸的FR4板上时，(R{JA}) 为120°C/W，(P_D) 为1.04W，(I_D) 为2.5A。

温度范围

器件的工作和存储温度范围为 - 55°C到150°C，最大焊接引线温度为260°C（距离外壳1/8英寸处，持续10秒）。需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (V{(br)DSS}) 在 (V{GS} = 0 Vdc) ，(I_D = 250 mu Adc) 时，最小值为25V，典型值为28V，温度系数为正。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (V{DS} = 20 Vdc) ，(V_{GS} = 0 Vdc) 时为1.0 (mu Adc) ，在 (T_J = 150°C) 时为10 (mu Adc) 。
• 栅体漏电流 (I{GSS}) 在 (V{GS} = ±20 Vdc) ，(V_{DS} = 0 Vdc) 时为±100nAdc。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V{GS(th)}) 在 (V{DS} = V_{GS}) ，(I_D = 250 mu Adc) 时，最小值为1.0V，典型值为1.5V，阈值温度系数为负。
• 静态漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS} = 4.5 Vdc) ，(ID = 5 Adc) 时，最大值为130mΩ；在 (V{GS} = 10 Vdc) ，(I_D = 5 Adc) 时，典型值为70.4mΩ。
• 正向跨导 (g{FS}) 在 (V{DS} = 10 Vdc) ，(I_D = 5 Adc) 时为7.0Mhos。

动态特性

输入电容 (C{iss}) 为115pF，输出电容 (C{oss}) 在 (V{DS} = 20 Vdc) ，(V{GS} = 0 V) ，(f = 1 MHz) 时为62pF，转移电容 (C_{rss}) 为33pF。

开关特性

在 (V{GS} = 10 Vdc) ，(V{DD} = 10 Vdc) ，(I_D = 5 Adc) ，(RG = 3 Omega) 的条件下，导通延迟时间 (t{d(on)}) 为3.8ns，上升时间 (tr) 为27ns，关断延迟时间 (t{d(off)}) 为9.6ns，下降时间 (t_f) 为2.0ns。栅极电荷 (QT) 在 (V{GS} = 5 Vdc) ，(ID = 5 Adc) ，(V{DS} = 10 Vdc) 时为1.8nC。

源漏二极管特性

正向导通电压 (V_{SD}) 在 (IS = 5 Adc) ，(V{GS} = 0 Vdc) ，(T_J = 125°C) 时为0.93V，在 (IS = 5 Adc) ，(V{GS} = 0 Vdc) 时为0.82V，最大值为1.2V。反向恢复时间 (t{rr}) 为6.6ns，反向恢复存储电荷 (Q{RR}) 为0.002 (mu C) 。

典型特性

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与漏极电流和温度的关系、电容变化、栅源和漏源电压与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区以及热响应等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而在设计中做出更合理的选择。

订购信息

NTD14N03RT4G、NVD14N03RT4G和SVD14N03RT4G均采用DPAK封装，无铅，每卷2500个。不过需要注意的是，NTD14N03RT4G已停产，不建议用于新设计。

机械尺寸与封装

文档详细给出了DPAK3封装的机械尺寸，包括各个维度的最小值、标称值和最大值。同时，还提供了推荐的安装 footprint和多种引脚样式的标记图。这些信息对于PCB设计非常重要，能够确保器件正确安装和使用。

总的来说，Onsemi的NTD14N03R和NVD14N03R MOSFET以其高性能、广泛的应用范围和详细的参数特性，为电子工程师在电路设计中提供了可靠的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计要求，结合这些特性和参数，合理使用这些器件，以实现最佳的电路性能。大家在使用过程中有没有遇到过类似MOSFET的特殊应用场景呢？欢迎在评论区分享交流。