在电源管理领域,高效、可靠的功率器件是提升系统性能的关键。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合SGT屏蔽栅技术,推出全新N沟道增强型MOSFET系列产品,其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封装,符合RoHS标准,以其卓越的开关性能与低导通电阻,成为同步整流、电机驱动等应用的理想选择。
一、核心性能
- 低导通电阻,高效节能
在VGS=10V、ID=35A条件下,最大导通电阻(RDS(on))仅为8mΩ(典型值6mΩ),显著降低导通损耗,提升系统效率。
支持4.5V低栅极驱动电压(Max RDS(on)=11mΩ@30A),适配低压控制场景。
- 快速开关与低反向恢复电荷
优化动态性能:开启延迟时间11ns,关断延迟时间33ns,适应高频开关需求。
超低反向恢复电荷(Qrr=71nC)和软恢复特性,减少开关噪声,提升EMC表现。
- 高可靠性设计
100V耐压设计,支持75A连续电流与240A脉冲电流,满足严苛负载条件。
产品100% 通过UIS(无钳位电感开关)测试,单脉冲雪崩能量(Eas)达130mJ,确保抗冲击能力。
工作温度范围-55°C至+150°C,适应工业级环境。
二、电性曲线图
三、典型应用场景
- 快充与电源适配器
适用于AC/DC同步整流电路,低导通损耗与快速开关特性可显著提升充电效率,减少发热。
- 电机驱动与UPS系统
高电流承载能力与抗雪崩特性,保障电机启停和突发负载下的稳定运行。
- 光伏微逆变与电池管理
低栅极驱动电压需求适配太阳能MPPT控制,高效能量转换;在BMS中实现精准充放电管理。
四、选型推荐
除了MDDG10xx系列,MDD还新推出一系列低压大电流系列MOS针对不同的应用场景,提供多封装如Toll、PDFN33、PDFN56、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等,以满足各行业匹配需求。
审核编辑 黄宇
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