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深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。
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2025-11-11 标签： 功率半导体 SiC MOSFET 基本半导体 109 0
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9月24日至26日，PCIM Asia Shanghai 2025上海国际电力元件、可再生能源展览会在上海新国际博览中心
2025年9月24日 — 9月26日，作为电力电子和能源转换领域的国际盛会，2025 PCIM Asia（上海国际电力元
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是深圳第三代半导体研究院发起单位之一，广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心，公司及产品荣获2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。
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在工商业储能系统中，储能变流器（PCS）是核心组件之一，其性能直接影响整个系统的效率和可靠性。随着碳化硅（SiC）功率器件的广泛应用，储能PCS的效率、...
基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片，集成上电软启动功能及过温保护功能，输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设...
随着可再生能源、电动汽车等领域现代电力应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料具有适合高压、大功率应用的优良特性，在650...
随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车...
相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等...
国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路
PFC电路广泛应用于高频开关电源（特别是通信电源）中。现阶段，PFC电路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，电源的损耗较大，效率偏低。在电源的PFC电路...
国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流
车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆...
可靠性，是指产品在规定时间内和条件下完成规定功能的能力，是产品质量的重要指标，如果在规定时间内和条件下产品失去了规定的功能，则称之为产品失效或出现了故障...
浅谈新能源汽车电机控制器的MOSFET B2M065120H应用
基本半导体自2017年开始布局车用碳化硅器件研发和生产，目前已掌握碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装、驱动应用等核心技术，申请两百余项发明专利，产品性能...
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日有网友在社交媒体透露，基本半导体（中山）有限公司年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目开始动工，进入打桩阶段。 ...
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2025-11-11 标签：功率半导体SiC MOSFET基本半导体 109 0
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倾佳电子行业洞察：基本半导体第三代G3碳化硅MOSFET助力高效电源设计
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| B1D08065E | 直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):21A;正向压降(Vf):1.45V@8A; |
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|
|
| B1D04065F |
获取价格
|
||
| B1D20120H | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):70A;正向压降(Vf):1.46V@20A;反向电流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
获取价格
|
|
| B1D10065KF | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):24A;正向压降(Vf):1.48V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; |
获取价格
|
|
| B1D10065E | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):29A;正向压降(Vf):1.44V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; |
获取价格
|
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