ADRF5700 46dB、2dB LSB、5位、硅数字衰减器，100MHz至22GHz技术手册

概述
ADRF5700是一款硅、5位数字衰减器，以2 dB步长提供46 dB的衰减控制范围。

该器件的工作频率范围为100 MHz至22 GHz，提供优于2.0 dB的插入损耗和高衰减精度。ADRF5700支持双向操作，在所有衰减状态下具有24 dBm（平均值）和30 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。

ADRF5700需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。该器件具有并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

当负电源电压(VSS)接地时，ADRF5700也可在单一正电源电压(VDD)下工作。在此工作条件下，可在降低开关特性、线性度和功率处理性能的同时保持小信号性能（参阅数据手册中的表2）。

ADRF5700 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5700采用符合RoHS标准的20引脚、3.0 mm × 3.0 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5700 46dB、2dB LSB、5位、硅数字衰减器，100MHz至22GHz技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

特性

• 宽带频率范围：100 MHz至22 GHz
• 衰减范围：46 dB，2 dB步长
• 低插入损耗
  • 1.6 dB（典型值，高达10 GHz）
  • 2.0 dB（典型值，高达20 GHz）
• 出色的衰减精度
  • +(0.1 + 0.5%)的衰减状态（典型值，高达10 GHz）
  • -(0.1 + 2.0%)的衰减状态（典型值，高达10 GHz）
  • +(0.1 + 0.5%)的衰减状态（典型值，高达20 GHz）
  • -(0.1 + 3.0%)的衰减状态（典型值，高达20 GHz）
• 低步进误差
  • ±0.2 dB（典型值，高达10 GHz）
  • ±0.3 dB（典型值，高达20 GHz）
• 高输入线性度
  • P0.1dB：所有衰减状态下>27 dBm（典型值）
  • P1dB：所有衰减状态下>30 dBm（典型值）
  • IP3：所有衰减状态下>47 dBm（典型值）
• 高RF功率处理
  • 24 dBm（稳态平均值）
  • 30 dBm（稳态峰值）
• 所有衰减状态下的回波损耗一致
• 相对相位中的紧凑分布
• 无低频杂散信号
• 并行模式控制，CMOS/LVTTL兼容
• RF幅度建立时间（0.1 dB最终RF输出）：130 ns
• 20引脚、3.0 mm x 3.0 mm LGA封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

ADRF5700有两个电源引脚（VDD和VSS）和六个控制引脚（LE、D2、D3、D4、D5和D6）。图25展示了电源和控制引脚的外部组件连接情况。

VDD引脚和VSS引脚需用一个100 pF的多层陶瓷电容去耦。器件引脚布局允许将去耦电容放置在器件下方。无需其他外部组件用于偏置和操作，除非在RF引脚上需要隔直电容。RF引脚上的信号线偏置电压为0V。更多详细信息，请参见“引脚配置和功能描述”部分。

印刷电路板（PCB）设计建议

射频端口内部匹配至50Ω，引脚设计为在PCB上形成特性阻抗为50Ω的共面波导（CPWG）。图26展示了在12密耳厚Rogers RO4003介电材料射频基板上的参考CPWG射频电路设计。对于2.2密耳成品铜厚，建议采用线宽16密耳、间距6密耳的射频走线。

图27展示了器件的射频走线、电源和控制信号的布线情况。接地层通过尽可能多的过孔连接，以实现最佳射频和热性能。该器件主要的散热路径在底部。

图28展示了从器件RFx引脚到参考堆叠上50Ω CPWG的推荐布局。PCB焊盘按1:1比例绘制为器件焊盘。接地焊盘按阻焊层定义绘制，信号焊盘按焊盘限定绘制。从PCB焊盘引出的射频走线延伸至器件边缘，宽度不变，并以45°角逐渐变细连接到射频走线。焊膏掩模也经过设计，以匹配焊盘而无开口缩减，并被划分为多个开口。
对于具有不同介电厚度和CPWG设计的替代PCB堆叠，请联系技术支持以获取进一步的建议。