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Analog Devices Inc. ADPA7005功率放大器数据手册
Analog Devices Inc. ADPA7005功率放大器是砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 和单片微波集成电路 (...
Analog Devices Inc. ADL8102低噪声放大器数据手册
Analog Devices ADL8102低噪声放大器是砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、...
HMC871LC5 EA光学调制器驱动器,采用SMT封装,DC-20GHz技术手册
HMC871LC5是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动器放大器,采用无引脚5x5mm表贴封装。 该放大器工作频率范围为DC至20 GHz,提供...
HMC870LC5 MZ光学调制器驱动器,采用SMT封装,DC-20GHz技术手册
HMC870LC5是一款GaAs MMIC pHEMT分布式驱动器放大器,采用无引脚5x5 mm表贴封装,工作频率范围为DC至20 GHz。 该放大器提...
HMC739LP4/739LP4E具有半频输出和16分频的MMIC VCO,23.8-26.8GHz技术手册
HMC739是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和16分频预分频器。 由...
HMC738LP4/738LP4E具有半频输出和16分频的MMIC VCO,20.9-23.9GHz技术手册
HMC738是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和16分频预分频器。 由...
HMC737LP4/737LP4E具有半频输出的MMIC VCO,14.9-15.5GHz技术手册
HMC737是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管,并具有半频输出。 由于...
HMC736LP4/736LP4E具有半频输出的MMIC VCO,14.5-15.0GHz技术手册
HMC736是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管,并具有半频输出。 由于...
TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2025-03-17 标签:场效应晶体管GaAs 304 0
MAAL_010528高性能X波段GaAs LNA规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-07-19 标签:LNAGaAs 378 0
类别:IC datasheet pdf 2023-07-06 标签:LNAGaAs噪声放大器 488 0
MAAL-010528高性能X波段GaAs LNA规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-07-04 标签:LNAGaAs 412 0
HMC742ALP5E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位数字可变增益放大器,采用SMT封装技术手册
HMC742A是一款数字控制可变增益放大器,工作频率范围为70 MHz至4 GHz,可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益,步进为0.5 d...
聚灿光电宣布扩建Mini/Micro LED芯片研发及制造项目
3月6日,聚灿光电发布公告,宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金(共计8亿元)用途,用于新项目“年产240万片...
影响二极管开关速度的主要因素是什么 二极管开关是电子设备领域中不可或缺的一种元件,它具有快速切换衰减电压的特性。二极管开关速度影响了整个电路的性能,包...
GaAs基VCSEL已广泛应用于三维成像、无人驾驶、物联网、数据通讯等领域,同时在光电对抗、激光雷达、航空航天等高精尖领域也发挥着巨大的作用和潜能。
军备芯片和商用芯片的区别 芯片14nm对比5nm差距在哪里?
其实就目前的情况(截止2022年)而言,现实和他们想的相反,在很多军工领域,我国现役军备里的芯片反而比美帝要先进,实际情况大概率是美国战斗机用90nm芯...
浅析Tower硅光子平台结合光纤与硅芯片连接技术及量子点激光器
Bump-ready晶圆将Tower的PH18硅光子技术与允许同时将大量光纤连接到芯片的功能相结合——显著简化了组装成用于数据中心和电信网络的最终高速数...
HMC624A是一款6位数字衰减器,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定频率范围内...
为了实现更高的工作频率和更低的功耗,硅基 SiGe 射频 CMOS 和 BiCMOS 工艺技术在21 世纪初得到较为广泛的研究。
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