概述
ADRF5730 是一款硅、6 位数字衰减器,以 0.5 dB 步长提供 31.5 dB 的衰减控制范围。
该器件的工作频率范围为 100 MHz 至 40 GHz,提供优于 4.8 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下,ADRF5730 具有 27 dBm(平均值)和 30 dBm(峰值)的射频(RF)输入功率处理能力。
ADRF5730 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5730与ADRF5720引脚兼容,低频截止版本,工作频率范围为 9 kHz 至 40 GHz。
ADRF5730 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于宽带应用,RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。
ADRF5730 采用符合 RoHS 标准的 24 引脚、4 mm × 4 mm、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
数据表:*附件:ADRF5730 0.5dB LSB、6位硅数字衰减器,100MHz至40GHz技术手册.pdf
应用
特性
- 超宽带频率范围:100 MHz至 40 GHz
- 衰减范围:0.5 dB 步进至 31.5 dB
- 具有阻抗匹配的低插入损耗
- 2.1 dB,最高为 18 GHz
- 2.9 dB,最高为 26 GHz
- 4.8 dB,最高为 40 GHz
- 具有阻抗匹配的衰减精度
- ±(0.10+1.0% 的衰减状态),最高 18 GHz
- ±(0.15+0.8% 的衰减状态),最高 26 GHz
- ±(0.35+2.5% 的衰减状态),最高 40 GHz
- 具有阻抗匹配的典型步进误差
- ± 0.18 dB,最高为 18 GHz
- ± 0.23 dB,最高为 26 GHz
- ± 0.51 dB,最高为 40 GHz
- 高输入线性度
- P0.1dB 插入损耗状态:30 dBm
- P0.1dB 其他衰减状态:27 dBm
- IP3:50 dBm(典型值)
- 高RF输入功率处理:27 dBm 平均值,30 dBm 峰值
- 相对相位中的紧凑分布
- 无低频开关杂散
- SPI 和并行模式控制,CMOS / LVTTL 兼容
- RF建立时间(0.1 dB 最终 RF 输出):250 ns
- 24 引脚、4 mm × 4 mm LGA 封装
- 与ADRF5720引脚兼容,低频截止版本
框图
引脚配置描述
接口示意图
典型性能特征
应用信息
评估板
ADRF5730 - EVALZ是一款四层评估板。顶层和底层铜层为0.5盎司(0.7密耳),镀覆至1.5盎司(2.2密耳),并由电介质材料隔开。该评估板的堆叠结构如图37所示。
所有射频和直流走线都布置在顶层铜层,而内层和底层为接地层,为射频传输线提供稳固的接地。顶层电介质材料为12密耳的Rogers RO4003,可提供最佳的高频性能。中间和底层电介质材料提供机械强度。电路板总厚度为62密耳,可在板边连接2.4 mm的射频连接器。
射频传输线采用共面波导(CPWG)模型设计,线宽为16密耳,与接地层间距为6密耳,特性阻抗为50Ω。为实现最佳射频和热接地效果,应围绕传输线及器件外露焊盘布置尽可能多的过孔。
ADRF5730 - EVALZ在射频传输线上未实现高频阻抗匹配。有关阻抗匹配电路的更多详细信息,请参考探头矩阵板部分的“阻抗匹配”内容。
直通校准可用于校准消除ADRF5730 - EVALZ评估板测量中的板损耗效应,以确定集成电路引脚处的性能。图39展示了ADRF5730 - EVALZ评估板的典型板损耗、嵌入插入损耗以及去嵌入插入损耗。
图39展示了插入损耗与频率的关系。
图38展示了带有元件布局的实际ADRF5730评估板。
两个电源端口连接到VDD和VSS测试点TP1和TP2,接地参考连接到GND测试点TP4。在电源走线VDD和VSS上,使用一个100 pF的旁路电容来滤除高频噪声。此外,还有未安装元件的位置,可通过添加元件来应用额外的旁路电容。
所有数字控制引脚通过数字信号走线连接到2×9引脚接头P1。设有一个电阻电容(RC)滤波器,有助于消除直流耦合噪声。在评估ADRF5730时,评估板上未安装外部RC滤波器,此时串联电阻为0Ω,并联电容未安装。
射频输入和输出端口(ATTIN和ATTOUT)分别通过50Ω传输线连接到2.4 mm射频连接器J1和J2。这些高频射频连接器通过接触连接,未焊接到板上。
一条直通校准传输线J3和J4未安装元件。这条传输线用于评估环境条件下估算印刷电路板的损耗,ADRF5730 - EVALZ评估板的示意图如图40所示。
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