LPD2106是一款高耐压的半桥栅极驱动芯片,具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力,专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的半桥。LPD2106集成了输入逻辑信号处理电路,支持3.3V~15V输入逻辑电平。LPD2106具有高可靠性和抗干扰能力,高压耐压达650V,开关节点动态能力支持达50V/ns,瞬态耐压能力达-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保护功能,集成了输入最小脉冲宽度识别功能,输出互锁和死区保护功能,VDD和HB-VS UVLO保护。

典型应用电路图
LPD2106采用标准SOP8封装,广泛应用于高速吹风机,风扇,洗衣机,烘干机和冰箱等电器的无刷电机驱动,也可用于LED照明等开关电源,直流转交流逆变器等场景。
LPD2106主要特点
高耐压,高可靠性
开关节点VS耐正压:650V
开关节点VS瞬态负压能力:-60V
开关节点直流负压能力:-11V(@VDD=15V)
开关节点dVs/dt抗干扰能力:50V/ns
ESD-HBM:2000V

输入特性
VDD输入电压:10~20V,耐压25V
VDD UVLO
HB-VS UVLO
兼容3.3V,5V,15V输入电压逻辑
斯密特触发器输入
最小可识别on/off time:50ns
低功耗
输出特性
驱动能力:0.3A拉电流,1.0A灌电流
传输延时短:130ns
双通道延迟匹配:10ns
双通道输出互锁功能
双通道输出固定死区时间:500ns
LPD2106具体性能参数指标可联系微源获取数据手册。
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原文标题:新品发布│ 微源半导体推出650V半桥栅极驱动芯片LPD2106
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