LP8900 是一款双通道 LDO,每个稳压器能够提供 200mA 的输出电流。LP8900 专为满足射频和模拟电路的要求而设计,具有低器件噪声、高 PSRR、低静态电流和卓越的线路瞬态响应系数。
LP8900 采用新的创新设计技术,无需噪声旁路电容器即可提供一流的器件噪声性能。
LP8900 采用节省空间的陶瓷电容器设计,外壳尺寸小至 0402,可实现 4 mm <解决方案 ^2^ .性能规定范围为 –40°C 至 +125°C 结温范围。
*附件:LP8900 用于射频和模拟电路的 200mA 超低噪声双通道 LDO 数据表.pdf
特性
- 输入工作电压:1.8 V 至 5.5 V
- 输出电压:1.2 V 至 3.6 V
- 温度范围内的精度:1%
- 输出电压噪声:6 μV
RMS - PSRR:1 kHz 时为 75 dB
- 压差:200 mA 负载时为 110 mV
- 静态电流:每个稳压器 48 μA
- 启动时间:80 μs
- 与小至 0402 的陶瓷电容器配合使用时保持稳定
- 热过载和短路保护
参数
方框图

1. 产品概述
- 型号:LP8900
- 类型:200mA 超低噪声双通道 LDO(线性稳压器)
- 输入电压范围:1.8V至5.5V
- 输出电流:每通道最大200mA
- 输出电压范围:1.2V至3.6V(可调)
- 应用:射频和模拟电路
2. 主要特性
- 超低噪声:输出噪声仅为6μV RMS
- 高PSRR(电源抑制比):1kHz时75dB
- 低静态电流:每通道约48μA
- 快速启动时间:约80μs
- 高稳定性:与陶瓷电容器配合使用,无需额外噪声旁路电容器
- 过热和短路保护
3. 电气特性
- Dropout电压:最大约110mV(200mA负载时)
- 输出电压精度:±1%
- 热关断温度:约155°C
4. 功能描述
- 稳定性:设计用于与1μF陶瓷电容器配合使用,确保稳定性
- 低噪声性能:无需额外噪声旁路电容器即可实现低噪声
- 快速启动:提供快速启动时间,减少系统启动时间
5. 应用领域
6. 封装与热管理
- 封装类型:DSBGA(6引脚)
- 热阻:提供不同封装类型的热阻信息
- 散热建议:确保结温不超过最大允许值,提供散热片设计指导
7. 布局与设计指南
- 输入和输出电容器:建议至少使用1μF的陶瓷电容器
- 接地:使用单点接地,通过通孔连接到内部或背面接地平面
- 电压设定:靠近稳压器放置,使用短迹线直接连接
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