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      新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

      英飞凌工业半导体 • 2024-11-23 01:04 • 次阅读
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      新品

      CoolSiC MOSFET 650V G2，

      7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

      c7dbd09e-a8f3-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      CoolSiC MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直流-直流和直流-交流电路及其组合。

      产品型号：

      ■IMW65R007M2H

      ■IMZA65R007M2H

      产品特点

      优异的性能指标（FOM）

      个位数RDS(on）

      坚固耐用，整体质量高

      灵活的驱动电压范围

      支持单电源驱动，VGS（off）=0

      避免误开通

      .XT技术改进封装互联

      应用价值

      节省物料清单

      最大限度地提高单位成本的系统性能

      最高可靠性

      实现最高效率和功率密度

      易于使用

      与现有供应商完全兼容

      允许无需风扇或无散热器设计

      竞争优势

      开关损耗极低

      标杆性栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

      栅极关断电压为0V，可抵御寄生导通

      驱动电压灵活，与正负电源驱动兼容

      用于硬换流的坚固体二极管

      .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

      竞争优势

      开关电源(SMPS)

      光伏逆变器

      储能系统

      UPS

      电动汽车充电

      电机驱动

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