中国新能源汽车驱动SiC功率器件市场迅猛发展,国产厂商迎头赶上

近年来，中国新能源汽车市场呈现出爆发式增长态势。据中汽协数据，2023年中国新能源汽车销量高达949.5万辆，同比增长37.9%，市场占有率攀升至31.6%。展望未来，预计2024年销量将进一步跃升至1200-1300万辆，市占率或超45%，并占据全球新能源汽车总销量的约六成。

新能源汽车行业对能源转换效率、充电速度及续航时间等要求的不断提升，催生了对具有高功率密度、耐高温、耐高压及小型化优势的SiC功率器件的强烈需求。SiC（碳化硅）作为一种第三代半导体材料，因其宽带隙、高电子迁移率、高热导率和强电场击穿强度等特性，在新能源汽车领域展现出卓越性能。

SiC功率器件为新能源汽车带来了两大显著优势：一是提升续航里程，得益于SiC MOSFET的低导通电阻和低开关损耗，新能源汽车电机控制器的损耗可下降70%，进而增加约5%的行驶里程；二是缓解补能焦虑，通过提升充电功率，未来有望实现15分钟充满80%电能的快速充电体验。

随着SiC功率器件优势的显现，采用SiC主驱的乘用车型正逐年增加。2023年，已有45款新款乘用车型搭载了SiC主驱，而在2017年，全球仅有特斯拉的一款车型采用SiC器件。至2023年，采用SiC器件的国产车型累计已达142款，其中乘用车76款。

然而，从SiC功率器件市场格局来看，目前仍由国外厂商主导。TrendForce数据显示，2023年全球碳化硅功率器件市场中，意法半导体（ST）、安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）、Wolfspeed和罗姆半导体（ROHM）等前五大国外供应商占据了91.9%的市场份额。相比之下，国内SiC产业链较为分散，尽管在衬底或外延部分已形成一定规模，但在车规级SiC功率器件方面，国产SiC MOSFET的出货销售额仍处于较低水平。

不过，国产SiC厂商正迎头赶上。一方面，国内SiC产能投资持续增长，预计到2026年，国产SiC衬底产能将满足约3000万辆新能源汽车的需求；另一方面，国产SiC器件技术水平与国外差距迅速缩小，部分厂商的产品性能已接近国际一流水平。

以清纯半导体为例，该公司以每年一代新产品的节奏快速迭代，其1200V SiC MOSFET的比导通电阻已从第一代的3.3mΩ·cm²降至第二代的2.8mΩ·cm²，并计划在今年发布第三代产品，比导通电阻将进一步降至2.4mΩ·cm²，与国际巨头最新产品水平相当。此外，清纯半导体的产品在串扰抑制能力、动态参数表现及开关损耗等方面均表现出色，部分产品已应用于新能源汽车领域。

展望未来，随着全球SiC材料产能的快速扩张和国产SiC器件技术的持续进步，中国有望在全球SiC半导体产业中占据主导地位。激烈的市场竞争将促使国内SiC半导体产品价格下降、质量提升、产能扩大，加速国产替代进程。在完成SiC半导体技术创新及市场教育后，中国将依托巨大的应用市场和高效产能提升，逐步主导全球SiC半导体产业的未来发展。