0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

CSP(Chip Scale Package)封装工艺详解 

jf_17722107 来源:jf_17722107 作者:jf_17722107 2024-10-15 10:36 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

工艺原理

CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)技术是一种先进的封装技术,其焊端通常设计为直径0.25mm的焊球。这种设计不仅减小了封装尺寸,还提高了集成度。在焊接过程中,焊膏首先融化,随后焊球融化,这种顺序融化机制有助于避免焊球间的桥连问题,但可能因印刷过程中的少印而导致球窝、开焊等缺陷。因此,对于0.4mm间距的CSP,确保印刷过程中获得足够的焊膏量是关键。

wKgZomcN1OCAfvo-AAFb1E-wzxU805.png

基准工艺

为了优化CSP的焊接效果,基准工艺设定如下:

模板厚度:0.08mm。这一厚度选择旨在平衡焊膏的填充性和溢出控制,确保焊膏能够均匀且适量地覆盖焊盘。

模板开口直径:ф0.25mm,与焊球直径相匹配,以确保焊膏能够准确、完整地填充到焊球下方的区域。

模板类型:推荐使用FG模板。FG模板(Fine Grain模板)以其精细的网孔结构和优异的脱模性能,有助于实现高精度的焊膏印刷。

接受条件

可接受条件:

焊膏图形中心位置:焊膏图形中心偏离焊盘中心应小于0.05mm,以确保焊膏的准确位置,避免焊接不良。

焊膏量:焊膏量覆盖率超出焊盘75%~125%的范围(通过SPI检测)。这一范围确保了焊膏的充足性,同时避免了过量焊膏可能导致的短路问题。

焊膏覆盖面积:焊膏覆盖面积应大于或等于模板开口面积的70%,以确保焊膏能够充分覆盖焊盘,提高焊接的可靠性和稳定性。

印刷质量:

无漏印现象,且挤印引发的焊膏与焊盘最小间隔应大于或等于0.5mm²,以避免短路风险。

wKgZomcN1OmAZQOKAAFQI1wjxJA061.png

不接受条件

焊膏图形中心位置偏移:图形中心偏离焊盘中心大于0.05mm,这可能导致焊接不良,产生锡珠,影响封装质量。

焊膏量异常:焊膏量覆盖率超出焊盘75%~125%的范围,无论是过多还是过少,都可能对焊接质量产生不利影响。

焊膏覆盖面积不足:图形覆盖面积小于模板开口面积的70%,这可能导致焊盘部分区域无焊膏覆盖,进而影响焊接的可靠性。

印刷缺陷:出现焊膏漏印、严重挤印与拉尖等缺陷,这些都会直接影响焊接的质量和稳定性,因此不被接受。

总的来说,CSP封装工艺的成功实施需要严格控制焊膏的印刷过程,确保焊膏的准确位置、适量填充和良好覆盖,以满足严格的焊接质量要求。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 封装
    +关注

    关注

    128

    文章

    9330

    浏览量

    149047
  • CSP
    CSP
    +关注

    关注

    0

    文章

    129

    浏览量

    29544
  • 焊盘
    +关注

    关注

    6

    文章

    605

    浏览量

    39892
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    LED晶膜屏的FPC基材选型与COB封装工艺研究(源头厂家技术白皮书)

    LED晶膜屏作为新型透明显示产品,其核心技术在于柔性基材、封装工艺和驱动方案。本文从工程实践角度,详细分析FPC基材的关键参数、COB封装的热管理、驱动IC的选型与调校,并给出可靠性测试数据。本文
    的头像 发表于 04-16 11:14 384次阅读

    一文详解器件级立体封装技术

    2D、2.5D和3D立体封装技术已广泛应用于倒装芯片和晶圆级封装工艺中,成为后摩尔时代芯片性能提升的核心支撑技术。
    的头像 发表于 04-10 17:06 1840次阅读
    一文<b class='flag-5'>详解</b>器件级立体<b class='flag-5'>封装</b>技术

    CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)先进封装工艺的材料全景图及国产替代进展

    这张图是CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)先进封装工艺的材料全景图,清晰展示了从底层基板到顶层芯片的全链条材料体系,以及各环节的全球核心供应商。下面我们分层拆解:一
    的头像 发表于 03-28 10:21 713次阅读
    CoWoS(<b class='flag-5'>Chip</b>-on-Wafer-on-Substrate)先进<b class='flag-5'>封装工艺</b>的材料全景图及国产替代进展

    短距离光模块 COB 封装与同轴工艺的区别有哪些

    在短距离光通信领域,光模块封装工艺直接影响产品性能、成本及应用场景适配性。COB 封装Chip On Board,板上芯片封装)与同轴工艺
    的头像 发表于 12-11 17:47 996次阅读
    短距离光模块 COB <b class='flag-5'>封装</b>与同轴<b class='flag-5'>工艺</b>的区别有哪些

    热压键合工艺的技术原理和流程详解

    热压键合(Thermal Compression Bonding,TCB)是一种先进的半导体封装工艺技术,通过同时施加热量和压力,将芯片与基板或其他材料紧密连接在一起。这种技术能够在微观层面上实现材料间的牢固连接,为半导体器件提供稳定可靠的电气和机械连接。
    的头像 发表于 12-03 16:46 3222次阅读
    热压键合<b class='flag-5'>工艺</b>的技术原理和流程<b class='flag-5'>详解</b>

    SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    垂直导线扇出(VFO)的封装工艺,实现最多16层DRAM与NAND芯片的垂直堆叠,这种高密度的堆叠方式将大幅提升数据处理速度,为移动设备的AI运算提供强有力的存储支撑。   根据早前报道,移动HBM通过堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽,也同样采用了
    的头像 发表于 11-14 09:11 4161次阅读
    SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO<b class='flag-5'>封装工艺</b>

    半导体“封装过程”工艺技术的详解

    如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 半导体的典型封装工艺流程包括芯片减薄、芯片切割、芯片贴装、芯片互连、成型固化、去飞边毛刺、切筋成型、上焊锡、打码、外观检
    的头像 发表于 11-11 13:31 2493次阅读
    半导体“<b class='flag-5'>封装</b>过程”<b class='flag-5'>工艺</b>技术的<b class='flag-5'>详解</b>;

    详解芯片封装工艺步骤

    芯片封装是半导体制造过程中至关重要的一步,它不仅保护了精密的硅芯片免受外界环境的影响,还提供了与外部电路连接的方式。通过一系列复杂的工艺步骤,芯片从晶圆上被切割下来,经过处理和封装,最终成为可以安装在各种电子设备中的组件。
    的头像 发表于 08-25 11:23 3177次阅读
    <b class='flag-5'>详解</b>芯片<b class='flag-5'>封装</b>的<b class='flag-5'>工艺</b>步骤

    详解CSP封装的类型与工艺

    1997年,富士通公司研发出一种名为芯片上引线(Lead On Chip,LOC)的封装形式,称作LOC型CSP。为契合CSP的设计需求,LOC封装
    的头像 发表于 07-17 11:41 4932次阅读
    <b class='flag-5'>详解</b><b class='flag-5'>CSP</b><b class='flag-5'>封装</b>的类型与<b class='flag-5'>工艺</b>

    瑞沃微CSP封装,光学优势大放异彩!

    瑞沃微CSP封装光学技术凭借其极致小型化、高集成度、优良电学性能和散热性能,在照明、显示及高端电子领域展现出显著优势。
    的头像 发表于 06-24 16:54 947次阅读
    瑞沃微<b class='flag-5'>CSP</b><b class='flag-5'>封装</b>,光学优势大放异彩!

    晶振常见封装工艺及其特点

    常见晶振封装工艺及其特点 金属壳封装 金属壳封装堪称晶振封装界的“坚固卫士”。它采用具有良好导电性和导热性的金属材料,如不锈钢、铜合金等,将晶振芯片严严实实地包裹起来。这种
    的头像 发表于 06-13 14:59 939次阅读
    晶振常见<b class='flag-5'>封装工艺</b>及其特点

    CSP封装在LED、SI基IC等领域的优势、劣势

    瑞沃微作为半导体封装行业上先进封装高新技术企业,对CSP(芯片级封装)技术在不同领域的应用有不同见解。CSP
    的头像 发表于 05-16 11:26 1575次阅读
    <b class='flag-5'>CSP</b><b class='flag-5'>封装</b>在LED、SI基IC等领域的优势、劣势

    封装工艺中的晶圆级封装技术

    我们看下一个先进封装的关键概念——晶圆级封装(Wafer Level Package,WLP)。
    的头像 发表于 05-14 10:32 2217次阅读
    <b class='flag-5'>封装工艺</b>中的晶圆级<b class='flag-5'>封装</b>技术

    封装工艺中的倒装封装技术

    业界普遍认为,倒装封装是传统封装和先进封装的分界点。
    的头像 发表于 05-13 10:01 2194次阅读
    <b class='flag-5'>封装工艺</b>中的倒装<b class='flag-5'>封装</b>技术

    半导体封装工艺流程的主要步骤

    半导体的典型封装工艺流程包括芯片减薄、芯片切割、芯片贴装、芯片互连、成型固化、去飞边毛刺、切筋成型、上焊锡、打码、外观检查、成品测试和包装出库,涵盖了前段(FOL)、中段(EOL)、电镀(plating)、后段(EOL)以及终测(final test)等多个关键环节。
    的头像 发表于 05-08 15:15 6071次阅读
    半导体<b class='flag-5'>封装工艺</b>流程的主要步骤