0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列

英飞凌工业半导体 2024-09-03 08:02 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

d4f3d796-6987-11ef-bb4b-92fbcf53809c.png

英飞凌最新推出的600V CoolMOS 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展,在全球范围内树立了技术和性价比标准。

CoolMOS 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术,旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS 7产品系列(包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGaN和CoolSiC宽禁带半导体技术的有力补充。

CoolMOS 8的创新之处在于,该系列所有器件中都集成了快速体二极管,使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。

产品特点

世界一流的RDS(on)*A

集成快速体二极管

出色的换流坚固性

先进的互连技术

7mΩ开始,渐进式产品组合

包括顶部冷却封装系列

应用价值

效率比C7提高0.1%,比P7提高0.17%

易于使用和快速设计

低振荡倾向

Rth降低14-42%

简化的产品组合

系统级创新

应用领域

服务器、通信电源

超级固态开关解决方案(继电器、断路器)

电动汽车充电、太阳能和储能系统

UPS

工业电源SMPS

照明

住宅空调PFC、冰箱压缩机

充电器/适配器

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    68

    文章

    2443

    浏览量

    142306
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9424

    浏览量

    229653
  • MOS
    MOS
    +关注

    关注

    32

    文章

    1621

    浏览量

    99780
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    SLM2181CA-DG解析600V高低边门极驱动器的核心优势

    一、概述:高性能半桥驱动SLM2181CA-DG是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高边和低边参考输出通道。核心优势在于600V的高耐压能力、450mA/950mA的非对称
    发表于 11-21 08:35

    SLM21814CJ-DG 600V高低边门极驱动器解析与应用探讨

    一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高压高速高低边门极驱动器,专为驱动MOSFET和IGBT设计。其核心优势在于600V高耐压能力、2.5A/3.5A非对称驱动电流以及全电压范围内的浮动通道
    发表于 11-20 08:47

    ‌Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢复整流器技术解析与应用指南

    Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和极快整流器将低导通和低开关损耗完美结合在一起。该整流器设计用于提高高频转换器和软开关或谐振设计的效率。Gen 5 600V超快和极快整流器与采用SOT-227封装的铜基板隔离,有助于构建常见散热片和紧凑
    的头像 发表于 11-14 17:12 1128次阅读
    ‌Vishay Gen 5 <b class='flag-5'>600V</b>/1200<b class='flag-5'>V</b> 超快恢复整流器技术解析与应用指南

    SiLM2285 600V/4A高可靠性半桥门极驱动器

    600V、4A/4A 半桥门极驱动SiLM2285,超强抗干扰、高效驱动、高边直驱设计三大核心优势,解决工业开关电源、电机拖动、新能源逆变及储能设备中的驱动难题,实现对高压、高功率MOSFET
    发表于 10-21 09:09

    SiLM2234 600V半桥门极驱动器,集成自举二极管助力高可靠性电机驱动

    SiLM2234 600V半桥门极驱动器,支持290mA拉电流和600mA灌电流输出能力,专为高压、高功率MOSFET和IGBT驱动设计,内部集成自举二极管,显著简化外部电路设计,具备优异的抗负向
    发表于 09-11 08:34

    SLM2184SCA-13GTR 600V耐压、3.3V逻辑兼容的高压半桥驱动芯片

    : SLM2184SCA-13GTR的核心价值在于其高集成度(SOP8小封装)、高压能力(600V)、强劲的驱动电流(950mA) 以及内置的智能保护功能(死区时间、UVLO、关断引脚)。它为开发紧凑、可靠的高压功率驱动系统提供了一个高效的单芯片解决方案。#SLM2184
    发表于 08-26 09:15

    SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半桥驱动,直击高压高功率应用痛点

    600V/4A/4A半桥门极驱动器(SOP8封装),正是为解决这些难题而生,为工业与新能源应用提供高效、可靠的驱动解决方案。核心技术突破,直击行业痛点: 超强抗干扰能力: 卓越的抗负向瞬态电压与dV/dt
    发表于 08-08 08:46

    新品 | 650V CoolMOS8超结 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和
    的头像 发表于 07-04 17:09 920次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>CoolMOS</b>™ <b class='flag-5'>8</b>超结 (<b class='flag-5'>SJ</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    BDR6307B 600V高压半桥驱动芯片中文手册

           BDR6307B是一款耐压600V的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N型 MOS 半桥
    发表于 05-27 17:21 1次下载

    HPD2606X 600V半桥栅极驱动器技术手册:高压高速MOSFET和IGBT驱动设计

    内容概要:HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器,采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门
    发表于 05-19 11:33 0次下载

    新品 | CIPOS™ Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP™ IGBT 7

    新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列600V等级中提供15A、20A和30A三个型号,
    的头像 发表于 04-01 17:34 1185次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | CIPOS™ Mini IPM <b class='flag-5'>600V</b> 15A 20A 30A TRENCHSTOP™ IGBT 7

    加拿大设备电压不匹配?600V变380V隔离变压器来助力!

    卓尔凡电力科技变压器,当进口的加拿大380V半导体设备在国内600V电网环境下运行时,电压不匹配问题常常导致设备无法正常工作,甚至可能损坏设备。为解决这一难题,卓尔凡电力科技有限公司推出了600V
    的头像 发表于 03-05 08:50 498次阅读
    加拿大设备电压不匹配?<b class='flag-5'>600V</b>变380<b class='flag-5'>V</b>隔离变压器来助力!

    CSA材料认证标准600V变380V 600V变480V变压器 卓尔凡

    600V 变 380V 以及 600V 变 480V 的变压器,凭借卓越性能与可靠品质,成为众多行业的理想选择。 CSA 认证:品质与安全的坚实背书 CSA,即加拿大标准协会认证,在
    的头像 发表于 02-21 14:56 731次阅读
    CSA材料认证标准<b class='flag-5'>600V</b>变380<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>600V</b>变480<b class='flag-5'>V</b>变压器 卓尔凡

    600V高压半桥驱动芯片BDR6307B

    BDR6307B 是一款耐压 600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N 型 MOS 半桥。 BDR6307B 的逻辑
    发表于 02-20 10:22

    储能柜400V升压600V变压器 额定电压400V600V 使用条件:室内室外

    储能柜 400V 升压 600V 变压器:能源转换的关键枢纽》 在当今能源领域的快速发展中,储能技术作为保障能源稳定供应和高效利用的核心要素,正受到越来越广泛的关注。而储能柜 400V 升压
    的头像 发表于 12-16 15:38 1102次阅读
    储能柜400<b class='flag-5'>V</b>升压<b class='flag-5'>600V</b>变压器  额定电压400<b class='flag-5'>V</b>变<b class='flag-5'>600V</b> 使用条件:室内室外