【新品推介】
XBLW LM239精密电压比较器芯片
一
该系列器件由四个独立的精密电压比较器组成,LM239DTR 的失调电压低至 2mV。每个比较器都经过专门设计,可在很宽的电压范围内采用单电源供电。也可以使用分离式电源进行操作。
芯片特征
二
●单电源电压范围或双电源:+2 至 +36 V 或 ±1 V 至 ±18 V
●极低的电源电流:(0.2 mA),与电源电压无关
●低输入偏置电流:25 nA(典型值)
●低输入失调电流:±5 nA(典型值)
● 低输入失调电压:±2 mV(典型值)
●输入共模电压范围包括地电压
●低输出饱和电压:250 mV(典型值);(ISINK = 4 毫安)
●差分输入电压范围等于电源电压
●TTL、DTL、ECL、MOS、CMOS兼容输出
引脚定义及封装类型
三


典型应用电路介绍及运用原理
四

LM239DTR应用电路------雷达锥扫基准信号采集电路电路采用电压比较器芯片XBLW LM239DTR,采用二极管对输入的锥扫基准信号限幅整形,电路的3.3V为方波信号,周期和输入信号相同,认为方波上升沿为锥扫基准信号的相位零点。
运用原理:什么是电压比较器?
简单地说, 电压比较器是对两个模拟电压比较其大小(也有两个数字电压比较的,这里不介绍),并判断出其中哪一个电压高,如图1所示。图1(a)是比较器,它有两个输入端:同相输入端(“+” 端) 及反相输入端(“-”端),有一个输出端Vout(输出电平信号)。
另外有电源V+及地(这是个单电源比较器),同相端输入电压VA,反相端输入VB。VA和VB的变化如图1(b)所示。
在时间0~t1时,VA》VB;在t1~t2时,VB》VA;在t2~t3时,VA》VB。在这种情况下,Vout的输出如图1(c)所示:VA》VB时,Vout输出高电平(饱和输出);VB》VA时,Vout输出低电平。
根据输出电平的高低便可知道哪个电压大。


芯片应用
五
●报警器电路
●自动控制电路
●电源电压检测电路
●振荡器及压控振荡器电路
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