重磅！英飞凌发布新一代碳化硅器件方案，助力低碳化和数字化目标达成

(电子发烧友网报道 文/章鹰）“半导体解决方案是实现气候目标的关键，英飞凌可以通过半导体解决方案，达到低碳化的效果。宽禁带半导体SiC、GaN，体积比较小，密度高，效能高，在解决气候问题的时候可以发挥最优效果。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着引领作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”7月9日，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟在2024英飞凌宽禁带论坛上表示。

英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟

7月8日到10日，在慕尼黑上海电子展E4馆内，英飞凌展示了第三代半导体的产品解决方案。记者探访展台的时候，看到如下方案：一是新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET的相关产品；二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相关产品。展台工作人员介绍，英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET Gen2技术，新产品与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。

新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET

图：用于2000V CoolSiCTM MOSFET 62mm模块的半桥栅极驱动器评估板

Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺从行业分析的角度向与会者分享了全球碳化硅与氮化镓市场最新发展趋势及展望。

Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺

邱柏顺指出，在全球追求绿色能源，减碳大目标下，全球能源领域有三大趋势日益明显：1、电气化，任何东西都要变成电来驱动，什么样的半导体可以带来比较好的性能，2、使用绿色能源，包括光伏、风电；3、使用器件达到更加节能的效果，新器件需要更高功率，系统功耗更小，碳排放量更小。

邱柏顺分享最新Yole数据，到 2029 年，预计 WBG 将占全球电力电子市场的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分别占 26.8% 和 6.3%。从消费电子、数据中心到新能源汽车带动GaN市场需求的增长，2029年GaN的市场容量会达到22亿美元，受到工业和汽车应用的推动，SiC的市场容量2029年将达到100亿美元。

英飞凌科技副总裁、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区市场营销负责人沈璐

在接下来的《宽禁带创新技术加速低碳化和数字化》主题演讲中，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区市场营销负责人沈璐表示，低碳化的背后是电气化，不仅包括发电端，还包括用电端。根据国际能源署的预测，到2030年，全球对于光伏装机量的总需求达到了5400吉瓦，这个数字相当于2023年全球光伏装机量的4倍。到2030年，全球新能源汽车将会达到5400万辆，是2023年全球新能源汽车销量的三倍左右。可再生能源以及新能源发展刚刚开始启航。她表示，英飞凌是全球功率系统的半导体领导者，在硅、碳化硅、氮化镓领域有20多年的经验。技术、工艺、解决方案英飞凌都有丰富的经验。

英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟

英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟表示，基于在SiC领域的丰厚积累，英飞凌拥有40多年对SiC工艺制程、封装和失效机理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圆厂以及业界最广泛的SiC产品组合、应用市场、客户群覆盖。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。

他还强调英飞凌GaN为下一代电子产品注入动力。英飞凌的GaN产品包括高压和中压的BDS、感测、驱动和控制系列，可广泛应用于AI服务器、车载充电器（OBC）、光伏、电机控制、充电器和适配器等。比如在AI服务器领域，基于AI系统对更高功率的需求，进一步增加了半导体的使用量。

研发工程师在使用碳化硅设计和优化自身方案时候，面对五大挑战。在英飞凌看来，有哪些解决方案能帮助客户？一、成本端，竞争会带来更高效的产出。英飞凌拥有全球最大的8英寸碳化硅功率晶圆厂。二、英飞凌的碳化硅技术拥有长期清晰明确的技术迭代以及升级路线图。三、规模，规模背后意味着更广泛的产品组合，更明确的市场定位和市场覆盖以及最终终端客户的覆盖。英飞凌具备业界最广泛的SiC产品组合、应用市场以及客户群覆盖。

在技术市场方面，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区技术市场负责人陈志豪和英飞凌科技高级技术总监、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区技术市场负责人陈立烽则从技术应用的角度介绍了英飞凌宽禁带产品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三种半导体材料器件的技术特性对比，指出虽然硅超级结在低开关频率中占优，但SiC和GaN终将主导新型拓扑结构和高频应用；结合CoolSiC™和CoolGaN™的技术特性及优势，分别在不同领域的典型应用案例，如在公共电源转换（PCS）系统中采用SiC模块，可实现>99%的效率，CoolGaN™双向开关在微型逆变器中的应用等。

7月9日下午，在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）分论坛上，来自英飞凌及行业内的近20位嘉宾，从市场趋势、应用方案、技术创新等多个维度为与会者呈现了两场精彩的宽禁带半导体知识盛宴。市场趋势上，深入剖析了新能源汽车、光伏、储能、服务器电源等关键领域对宽禁带半导体需求的快速增长，同时，随着技术的不断成熟和成本的逐步下降，宽禁带半导体将迎来更加广阔的发展空间。

本文由电子发烧友原创，转载请注明以上来源。微信号zy1052625525。需入群交流，请添加微信elecfans999，投稿爆料采访需求，请发邮箱[e-mail]。