新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
新品
采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
1200V的62mm CoolSiC MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。现可提供2.9mΩ 1200V新规格，带或不带热界面材料(TIM)。
相关产品：
FF3MR12KM1H 2.9mΩ，
1200V 62mm半桥模块
FF3MR12KM1HP 2.9mΩ，
1200V 62mm半桥模块 预涂TIM
产品特点
集成体二极管，优化了热阻
卓越的栅极氧化层可靠性
抗宇宙射线能力强
应用价值
按照应用苛刻条件优化
更低的电压过冲
导通损耗最小
高速开关，损耗极低
对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为
标准模块封装技术确保可靠性
62毫米高产量生产线的生产
竞争优势
通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品，以满足快速开关要求和低损耗的应用。
电流密度最高，防潮性能强
应用领域
储能系统
电动汽车充电
光伏逆变器
UPS
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
462文章
53535浏览量
459135 -
SiC
+关注
关注
32文章
3509浏览量
68143 -
半桥模块
+关注
关注
1文章
11浏览量
1570
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平
基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍
基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，产品
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块，采
倾佳电子力荐：BASiC 62mm封装BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边
倾佳电子力荐：BASiC 62mm封装半桥BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边界 关键词：
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCS
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ
新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品
新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌
新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
新品EasyDUAL1B和2B，1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B，2B1200V
新品 | 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模块
新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装
派恩杰半导体1200V 400A系列半桥62mm封装模块 内置二极管提升高频应用可靠性
派恩杰半导体上新 ；1200V 400A系列半桥62mm封装模块，内置二极管提升高频应用可靠性！
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
的应用，CAB450M12XM3的体积和重量仅为传统62mm模块的一半，完美适配空间受限的安装环境。
低电感架构：其6.7nH的低电感设计优化了功率总线布局，显著降低了开关过程中的能量
发表于 03-17 09:59
工商网监
评论