Onsemi ECH8690功率MOSFET：低导通电阻的理想之选

在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件，其性能直接影响到电路的效率和稳定性。今天，我们来深入了解Onsemi公司的ECH8690功率MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

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产品概述

ECH8690是一款采用Onsemi沟槽技术生产的互补双功率MOSFET，专为低导通电阻应用而设计。该器件采用SOT - 28FL/ECH8封装（CASE 318BF），具备N沟道和P沟道MOSFET，适用于对导通电阻要求较低的各种应用场景。

产品特性

低导通电阻

• N沟道：典型导通电阻 (R_{DS(on)} = 42 mOmega)。
• P沟道：典型导通电阻 (R_{DS(on)} = 73 mOmega)。 低导通电阻意味着在电路中能够减少功率损耗，提高效率，这对于追求高能量转换效率的设计来说至关重要。

内置保护二极管

提供4V驱动能力，增强了器件的可靠性和稳定性，能有效保护电路免受异常电压和电流的影响。

环保特性

该器件符合无铅、无卤素和RoHS标准，满足环保要求，有助于电子设备制造商满足相关法规。

电气连接与标识

电气连接

ECH8690的引脚定义清晰，方便工程师进行电路设计。具体引脚功能如下：

• 引脚1：Source1
• 引脚2：Gate1
• 引脚3：Source2
• 引脚4：Gate2
• 引脚5、6：Drain2
• 引脚7、8：Drain1

标识图

器件上有清晰的标识，包括批次号等信息，便于生产管理和追溯。

绝对最大额定值

在使用ECH8690时，必须严格遵守其绝对最大额定值，以确保器件的安全和可靠性。以下是主要参数：	参数	N沟道	P沟道	单位
漏源电压 (V_{DSS})	60	-60	V
栅源电压 (V_{GSS})	±20	±20	V
直流漏极电流 (I_{D})	4.7	-3.5	A
脉冲漏极电流 (I_{DP})（PW ≤ 10 s，占空比 ≤ 1%）	30	-30	A
允许功率耗散 (P_{D})（安装在陶瓷基板上，1200 (mm^2) X 0.8 mm）	1.5	-	W
总耗散 (P_{T})（安装在陶瓷基板上，1200 (mm^2) X 0.8 mm）	1.8	-	W
沟道温度 (T_{ch})	150	-	°C
存储温度 (T_{stg})	- 55 至 +150	-	°C

超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

N沟道特性

• 击穿电压 (V_{(BR)DSS})：60V（(I{D} = 1 mA)，(V{GS} = 0 V)）
• 零栅压漏极电流 (I_{DSS})：1 (mu A)（(V{DS} = 60 V)，(V{GS} = 0 V)）
• 栅源泄漏电流 (I_{GSS})：±10 (mu A)（(V{GS} = ±16 V)，(V{DS} = 0 V)）
• 截止电压 (V_{GS(off)})：1.2 - 2.6V（(V{DS} = 10 V)，(I{D} = 1 mA)）
• 正向传输导纳 (|y_{fs}|)：4.2 S（(V{DS} = 10 V)，(I{D} = 2 A)）
• 静态漏源导通电阻 (R_{DS(on)})：不同条件下有不同值，如 (I{D} = 2 A)，(V{GS} = 10 V) 时，典型值为42 (mOmega)，最大值为55 (mOmega)。

P沟道特性

• 击穿电压 (V_{(BR)DSS})： - 60V（(I{D} = - 1 mA)，(V{GS} = 0 V)）
• 零栅压漏极电流 (I_{DSS})： - 1 (mu A)（(V{DS} = - 60 V)，(V{GS} = 0 V)）
• 栅源泄漏电流 (I_{GSS})：±10 (mu A)（(V{GS} = ±16 V)，(V{DS} = 0 V)）
• 截止电压 (V_{GS(off)})： - 1.2 至 - 2.6V（(V{DS} = - 10 V)，(I{D} = - 1 mA)）
• 正向传输导纳 (|y_{fs}|)：3.4 S（(V{DS} = - 10 V)，(I{D} = - 1.5 A)）
• 静态漏源导通电阻 (R_{DS(on)})：不同条件下有不同值，如 (I{D} = - 1 A)，(V{GS} = - 10 V) 时，典型值为73 (mOmega)，最大值为94 (mOmega)。

典型特性曲线

数据手册中提供了丰富的典型特性曲线，包括 (I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A}) 等曲线。这些曲线直观地展示了器件在不同工作条件下的性能表现，帮助工程师更好地理解和应用该器件。例如，通过 (R{DS(on)}-V{GS}) 曲线，我们可以了解到导通电阻随栅源电压的变化情况，从而选择合适的驱动电压来优化电路性能。

订购信息

ECH8690的产品型号为ECH8690 - TL - H（无铅/无卤素），采用SOT - 28FL/ECH8封装，每盘3000个，采用带盘包装。关于带盘规格的详细信息，可参考相关的包装规格手册。

使用注意事项

由于ECH8690是MOSFET产品，在使用时应避免在高电荷物体附近使用。如果需要用于指定应用以外的场景，请联系销售部门。

总结

Onsemi的ECH8690功率MOSFET以其低导通电阻、内置保护二极管和环保特性，为电子工程师提供了一个可靠的选择。在设计电路时，工程师可以根据其电气特性和典型特性曲线，合理选择工作条件，以实现电路的高效稳定运行。大家在实际应用中，有没有遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。