SK海力士携HBM4及面向AI的存储器产品组合亮相2025国际电脑展

SK海力士于5月20日至23日举办的2025年台北国际电脑展（COMPUTEX Taipei 2025，以下简称COMPUTEX）上，展示了其涵盖AI服务器、个人电脑和移动设备等多个领域的丰富产品组合。

作为亚洲规模最大的ICT博览会，COMPUTEX汇聚了全球领先的IT企业，集中展示前沿技术与创新解决方案。这一聚焦AI、数据中心等核心领域技术演进与产业趋势的重要平台，今年以“AI Next”为主题，吸引了超过1400家企业参展，全方位呈现了“智能运算与机器人”、“次世代科技”以及“未来移动”等领域的创新成果。

SK海力士展台

本次展会，SK海力士以“存储器，驱动人工智能与未来（MEMORY, POWERING AI AND TOMORROW）”为主题，精心打造了四大展区：分别为“面向AI的HBM（HBM for AI）解决方案”、“数据中心（Data Center）解决方案”、“移动/PC端解决方案（Mobile/PC）”，以及“道德与ESG实践（Ethic & ESG）”，全面展示了其多样化面向AI的存储器解决方案。

“面向AI的HBM解决方案”展区

HBM4及HBM3E展示

英伟达AI服务器专属GPU模块GB200，配备12层堆叠的36GB高带宽存储器HBM3E

在“面向AI的HBM解决方案”展区，SK海力士展示了其最新HBM解决方案，包括12层HBM41和12层HBM3E。其中，HBM4具备目前业界最高水平的运行速度，高达2TB/s（每秒2太字节），该产品通过优化基板设计，在改善连接HBM与逻辑半导体基础裸片性能的同时，实现更低的功耗表现。2025年3月，SK海力士已率先向主要客户交付了12层HBM4样品 [相关报道]，并预计于今年下半年投入量产。此外，公司还公布了计划于2026年推出的16层HBM4技术开发路线图。

1高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）：一种高附加值、高性能存储器，通过垂直互联多个DRAM芯片, 与DRAM相比可显著提升数据处理速度。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的顺序开发。

此外，SK海力士还带来36GB（千兆字节）12层HBM3E，与搭载了该产品的英伟达AI服务器专用GPU模块GB200一并展出。

“数据中心解决方案”展区

SK海力士服务器DIMM产品系列

SK海力士服务器存储解决方案系列

SK海力士子公司Solidigm解决方案

在“数据中心解决方案”展区，SK海力士展示了一系列可提升AI服务器性能并降低能耗的服务器DRAM模块和企业级固态硬盘（eSSD）产品。其中服务器DRAM模块包括：搭载8Gb/s（每秒8千兆位）速率DRAM的64GB-256GB容量RDIMM2产品；搭载12.8Gb/s速率DRAM的96GB-256GB容量MRDIMM3产品；以及搭载7.5Gb/s速率LPDDR5X4的128GB容量SOCAMM5等。

2寄存双列直插式内存模组（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：将多个DRAM组合在一块电路基板上的服务器模块产品。

3多路复用列双列直插内存模组（MRDIMM, Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module）：一种同时运行两个内存列（模组的基本运行单元）以提高内存速率的模块产品。

4LPDDR5X：移动设备低功耗DRAM规格的LPDDR第七代（5X）产品，按照1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发。

5SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）：一种基于低功耗DRAM的内存模组，特别适用于AI服务器。

SK海力士介绍，公司全球首创的采用第六代10纳米级（1c）6工艺的DDR5高性能模块，在展会上获得了高度关注。

610纳米（nm）级DRAM工艺技术按1x（第一代）-1y（第二代）-1z（第三代）-1a（第四代）-1b（第五代）-1c（第六代）顺序开发。SK海力士于2024年8月在全球首次成功开发1c技术。

在企业级固态硬盘（eSSD）专区，SK海力士展示了其最高容量可达61TB的超高容量存储解决方案。特别值得关注的是基于238层4D NAND技术的第五代PCIe7产品PEB110，以及基于QLC8实现61TB超高容量的PS1012，这些创新产品将针对AI数据中心提供优化支持和卓越性能。

7PCIe（Peripheral Component Interconnect express）：用于数字设备主板上串行结构的高速输入/输出接口。

8根据NAND闪存单元（Cell）中存储位数的不同，可分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）等规格。

“移动/PC端解决方案”展区

“移动/PC端解决方案”展区

PC端DRAM及NAND闪存产品

移动端DRAM及NAND闪存产品

“道德与ESG实践”展区

“移动/PC端解决方案”展区展示了SK海力士在端侧AI革命中引领潮流的DRAM和NAND闪存产品矩阵。移动端产品包括运行速度高达10.7Gb/s的低功耗DRAM产品LPDDR5X，以及基于238层4D NAND技术的存储器UFS4.1。在PC端，SK海力士推出了基于1c DDR5的DRAM产品CSODIMM9、基于LPDDR5X的模块化解决方案LPCAMM210、专为AI PC设计的高性能固态硬盘PCB01，以及目前在单芯片标准中具备业界领先水平28Gb/s速率的图形用DRAM产品GDDR7。

9小型双列直插式内存模块（Compression SODIMM）：一种基于PC中使用的小型双列直插式内存模块（SODIMM, Small Outline DIMM）开发的新型外形规格，相比SODIMM具备更高性能与更高密度。

10LPCAMM2（Low Power Compression Attached Memory Module 2）：基于LPDDR5X的模块解决方案，其性能表现相当于一个LPCAMM2就能替代两个传统DDR5 SODIMM的性能效果，同时具备节省空间、低功耗和高性能特性。

此外，公司还展示了搭载在技嘉（GIGABYTE）、华硕（ASUS）、联想（Lenovo）等全球合作伙伴硬件设备中的SK海力士DRAM和NAND闪存产品，并表示已构建起覆盖从笔记本电脑到服务器等广泛需求的产品矩阵。

值得一提的是，SK海力士在“道德与ESG实践”展区特别展示了其入选“2025年全球最具商业道德企业（World’s Most Ethical Companies）”的案例，强调了公司正凭借全球最高水平的道德经营体系及实践，持续深化与各利益相关方的信任纽带。

SK海力士金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）（左起第二位）与英伟达CEO黄仁勋合影

本次2025台北国际电脑展，SK海力士与英伟达进一步巩固了合作伙伴关系

SK海力士表示：“通过此次展会，公司进一步巩固了作为面向AI的存储器市场领导者的行业认知，并深化了与全球合作伙伴的战略关系。”同时强调：“我们将通过与客户在AI服务器、数据中心，以及端侧AI等多个领域的紧密合作，及时提供最优产品，持续强化公司作为‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位。”