三星电子业绩下滑，这个“锅”谁来背？

电子发烧友网报道（文 / 吴子鹏）回顾 SK 海力士 2024 年的财报，营业收入为 66.1930 万亿韩元，营业利润为 23.4673 万亿韩元（营业利润率为 35%），净利润为 19.7969 万亿韩元（净利润率为 30%），创下了有史以来最佳年度业绩。再看台积电的财报，2024 财年营业收入为 901.16 亿美元，同比增加 29.94%；净利润为 365.30 亿美元，同比增加 35.80%。

那么，同样布局 HBM 和晶圆代工的三星一定会表现很好吧？答案是否定的。根据三星电子当地时间 7 月 8 日公布的业绩数据，按合并财务报表口径计算，公司今年第二季度营业利润同比减少 55.94%，为 4.6 万亿韩元（约合人民币 239.9 亿元）；销售额同比减少 0.09%，环比下降 6.49%，为 74 万亿韩元。相关财报的数据我们已经报道过，本文将分析是谁造成了三星电子如此不佳的业绩表现。

谈到业绩下滑，三星电子在声明中指出：“由于库存价值调整和美国限制中国先进人工智能芯片的影响，负责芯片业务的设备解决方案（DS）部门的利润环比下降。”

三星 DS 的 “锅” 美国要背吗？

DS 部门是三星的核心业务板块之一，专注于半导体、显示技术及先进制造解决方案的研发与生产。该部门成立于 2017 年，由原半导体业务重组而来，旨在整合资源以应对全球半导体行业的激烈竞争。

要判断三星 DS 部门是否受到美国限制对华芯片出口的冲击，首先需了解该部门的具体业务。DS 部门的核心业务之一是存储，包括 DRAM 和 NAND 芯片，这项业务受到了库存和地缘政治的双重拖累。在终端市场方面，消费级产品过剩：智能手机、PC 等终端需求疲软，导致 DRAM 和 NAND 芯片库存积压。尽管三星通过 “以价换量” 策略维持出货量（DRAM/NAND 出货量同比增长两位数），但平均售价（ASP）同比下滑 10%-15%，直接侵蚀了利润空间。在降价和需求萎靡的双重压力下，三星需要对库存芯片进行减值处理，以反映当前市场价格，这种一次性减值损失直接影响了 DS 部门的利润表现。

存储方面还需关注高价值的 HBM 芯片。作为 AI 服务器核心组件，HBM 芯片本应成为利润增长点，但三星向英伟达等美国客户供应 HBM 芯片的进程出现延迟，未能及时获得客户认证，错失了市场机会。分析人士称，预计三星今年向英伟达的出货量依然较为有限。同时，由于美国出口限制，三星向中国客户销售 HBM 芯片受到严重影响，部分中国客户已转投长江存储等国产公司，导致三星 HBM 业务季度收入环比下滑 15%，毛利率压缩至 38%。

DS 部门的核心业务之二是系统 LSI（System LSI），主要负责芯片设计，产品包括移动处理器（Exynos 系列）、图像传感器（ISOCELL 系列）、电源管理 IC、显示驱动芯片等，应用于智能手机、汽车电子、物联网设备等多个领域。系统 LSI 部门遇到的部分问题与存储部门相同，即终端市场需求疲软。不过，三星系统 LSI 也需考虑自身问题：由于三星 System LSI 涉及芯片设计，外部客户担心其设计被泄露，因此更倾向于选择台积电等 “纯代工” 厂商。

从这两点来看，中国是三星芯片业务的重要市场之一，限制措施直接影响了三星高端芯片的销量和收入，尤其是美国对华出口限制导致三星在中国市场的 AI 芯片销售受阻，订单大幅减少。

DS 部门的核心业务之三是晶圆代工，后端的先进封装实际上也与之相关，主要是帮助客户制造芯片。目前，三星仍是全球第二大晶圆代工厂，但其代工业务面临严峻挑战。2025 年第一季度，其市场份额降至 7.7%，被中芯国际（6%）紧追。此外，三星 3nm GAA 制程良率仅 50%，单芯片成本比台积电高 40%，导致客户订单流失（如苹果转单台积电）。为应对困境，此前有消息称三星在 2024 年底前关闭了平泽 P2、P3 厂 30% 的 4nm/5nm 产能。

韩媒 SEDaily 报道称，三星电子的 DS 部门正对系统 LSI 业务的组织运作方式调整计划进行最后审查，最终决定有望于近期作出。当前，业界普遍认为系统 LSI 业务可能会被供应链下端的 MX 或上端的晶圆代工业务合并，以最大限度地发挥协同效应。同时，也有韩媒报道称，三星可能会考虑将晶圆代工业务剥离。

先进制程成为三星的负担

如果说存储和系统 LSI 业务还有触底反弹的机会，那么三星晶圆代工崛起的希望确实渺茫。根据三星电子内部披露的 2025 年上半年目标达成奖励金（TAI）分配方案，其晶圆代工部门因业绩惨淡，上半年奖金直接定为 0%。这是该部门自 2023 年下半年后，连续两个半年度奖金归零，反映出三星半导体业务的持续低迷和代工业务的严峻挑战。

三星晶圆代工业务正面临技术瓶颈与客户流失的双重挑战。三星在先进制程（如 3nm、4nm）的良率问题长期未解决，导致高通、英伟达等核心客户转单台积电。尤其是 3nm 的良率问题引起了全球性关注，三星在 2022 年率先量产 3nm GAA（环绕栅极晶体管）工艺，试图在技术上领先台积电。然而，其良率长期徘徊在 20%~50% 之间，远低于台积电 3nm 工艺的 80% 以上。这导致其 3nm 芯片在成本控制和产能稳定性上严重落后 —— 在与台积电的对比中，三星的 3nm 和 2nm 工艺在功耗、发热和整体性能上均表现不佳。

最新产业链信息显示，虽然三星 2nm 制程的良率已达到可投入量产的商业化水平，但在与英伟达 GPU 产品的合作测试中，性能表现落后于台积电同级工艺，未能获得英伟达的正式订单。高通的评估结果相对积极，但采购规模不足以为三星晶圆代工部门带来实质性的营收增长。

据韩国媒体 ETNews 报道，三星代工已决定将重心从与台积电在先进制程技术上的激烈竞争，转向在芯片市场中 “持续稳定” 发展，并对制程路线图进行了关键调整。报道称，三星代工事业部副总裁宣布，该公司将在 2029 年向市场推出 1.4 纳米制程，这比原计划晚了近两年。

结语

三星电子第二季度利润的大幅下滑，显然并非单一外部因素所能解释。美国对华出口限制确实对其 HBM 芯片等高端业务在中国市场的拓展造成冲击，中国客户的流失与订单缩减客观上加剧了业绩压力。但更深层的困境，源于其自身业务布局与运营中的多重短板：存储业务深陷 “以价换量” 的利润泥潭，库存减值与终端需求疲软形成双重挤压；HBM 业务既因技术认证延迟错失英伟达等核心客户的市场机遇，也暴露了在供应链响应与客户合作中的效率不足；晶圆代工业务则被先进制程良率低下、成本高企、市场份额萎缩等问题缠身，甚至陷入零奖金的窘境，客户信任度与竞争力持续被台积电拉开差距。