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3D封装的形式有很多种,主要可分为填埋型、有源基板型和叠层型等3类。填埋型三维立体封装出现上世纪80年代,它是将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部,它不但能灵活方便地制作成填埋型,而且还可以作为IC芯片后布线互连技术,使填埋的压焊点与多层布线互连起来。这就可以大大减少焊接点,提高电子部件封装的可靠性。
3D封装的形式有很多种,主要可分为填埋型、有源基板型和叠层型等3类。填埋型三维立体封装出现上世纪80年代,它是将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部,它不但能灵活方便地制作成填埋型,而且还可以作为IC芯片后布线互连技术,使填埋的压焊点与多层布线互连起来。这就可以大大减少焊接点,提高电子部件封装的可靠性。
3D晶圆级封装,英文简称(WLP),包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括:多功能、高效能;大容量高密度,单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。
意法半导体STripFET F8 MOSFET:低阻高效重构汽车功率器件新标准
近期,意法半导体推出的STripFET F8技术系列低导通电阻MOSFET功率开关管,以“超低RDS(on)+极致小型化”为核心突破,通过创新型垂直沟道...
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