台积电将在美国凤凰城建设第三座芯片工厂

来源：Gas World

美国商务部宣布与台积电（TSMC）达成初步协议，支持美国半导体制造设施建设。

根据一份涉及66亿美元《芯片法案》直接资金的初步条款备忘录 (PMT)，台积电将在美国凤凰城建立第三座芯片工厂，将其在亚利桑那州的总投资增加至 650 亿美元。

第三座晶圆厂将使用 2nm 或更先进的工艺生产芯片，并于本世纪末开始生产。

美国总统拜登表示，这些设施将生产世界上最先进的芯片，促使美国有望在2030 年生产出全球 20% 的尖端半导体。

他表示，该协议还将《芯片法案》拨款的5000万美元资金用于培训和发展当地劳动力。

美国总统拜登表示：“美国发明了这些芯片，但随着时间的推移，我们的产能从占世界产能的近 40% 下降到略高于 10%，而且没有生产最先进的芯片，我们面临着重大的经济和国家安全漏洞。”

台积电董事长刘德音（Mark Liu）博士表示，公司美国业务使其能够更好地支持国内客户，并开拓半导体技术的未来进步。

PMT还提议向台积电提供高达50亿美元的贷款，该公司计划向美国财政部申请高达台积电亚利桑那州合格资本支出25%的投资税收抵免。

审核编辑 黄宇