光刻胶技术创新引领共性难题解决新方向

根据湖北九峰山实验室发布，光刻胶作为半导体制造的重要材料，其质量与性能直接决定了集成电路的电磁性质、成品率以及可靠性。然而，由于光刻胶技术要求较高，市场上能满足各种生产条件且性能稳定的产品寥寥无几。

随着半导体制造工艺节点不断发展至100纳米甚至更小的10纳米级别，如何制作出尺寸精度高、表面特征优秀、线边缘粗糙度低的光刻图形已逐渐成为整个行业面临的挑战。

为了解决上述难题，九峰山实验室与华中科技大学联合组建科研团队，成功攻克了“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

这项研究基于独特的化学结构设计，采用两种特定的光敏感单元制备出了光刻胶，所得图像形貌与线边缘粗糙度优秀，space图案宽度标准差达到最低水平（约为0.05），优于多数商用光刻胶，而且在光刻显影各个环节中的操作时间均符合半导体生产对于生产效率的严格要求。

此次科研成果有可能为光刻制造领域提供新的思路，同时也为EUV光刻胶的研发奠定了技术基础。该研究论文题为“Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists”，于2024年2月15日在国际顶尖期刊Chemical Engineering Journal（IF=15.1）发表。

该研究获得了国家自然科学基金与973计划的资金支持，来自华中科技大学光电国家研究中心的朱明强教授为第一作者，湖北九峰山实验室工艺中心的柳俊教授和向诗力博士等参与撰稿。

在此次研究过程中，他们将这项拥有独立版权的光刻胶系统在生产线进行了全方位的工艺验证，并且对各项技术指标进行了细致优化，实现了从技术创新到实际应用的全过程。