西安紫光国芯亮相ICCAD 2023发布CXL内存扩展主控技术方案

2023年11月10日-11日，以“湾区有你，芯向未来”为主题的中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2023）在广州举办。作为国内领先的集成电路设计企业，西安紫光国芯重磅发布了行业领先的CXL内存扩展主控技术方案。同时，包括DRAM存储系列产品、SeDRAM技术和先进设计服务在内的多款创新产品和前沿技术也悉数亮相大会展区，吸引了来自世界各地嘉宾和产业链伙伴的关注。

行业领先的CXL内存扩展主控技术方案

赋能高性能计算平台

在本届ICCAD年会上，西安紫光国芯副总裁左丰国发表了“从系统级、芯片级寻求突破存储墙”的主题演讲。他从计算系统硬件基础架构的视角，分析了制约计算系统性能发挥的关键瓶颈，即“数据计算”与“数据存储”之间的“存储墙”问题。介绍了西安紫光国芯“在芯片级用嵌入式DRAM(SeDRAM)技术实现大带宽、大容量嵌入式存储”和“在系统级用CXL技术实现内存容量、带宽扩展”的方案，助力计算系统实现性能上的不断提升。

作为CXL技术联盟“Contributor”级别成员和国内CXL技术的先行者，西安紫光国芯多年来持续关注CXL技术并积极地参与相关技术标准的讨论及完善工作。

本次展会上，公司首次展出了UniICCXL内存扩展主控技术方案和产品。该方案具有很好的兼容性及可拓展性，包括适配多型号主流处理器平台、适配多种存储介质、支持不同设备容量及硬件外观形态。

值得一提的是，通过跟行业上下游头部厂商长期在技术及产品层面的紧密合作，西安紫光国芯的方案在访存的延迟、带宽及RAS等各方面均有优异的表现。

左丰国表示：“在CXL技术进入商业化应用的大背景下，我们推出的CXL内存扩展主控技术方案以开放、兼容的设计思路，可灵活支持针对不同类型应用的定制化需求，为计算系统提供内存容量/带宽扩展解决方案。同时，公司还将持续推进与行业上下游厂商在CXL技术产品化应用方面的深度合作，为CXL技术、生态的不断发展演进做出积极贡献。”

领先的嵌入式DRAM技术（SeDRAM）

为大算力芯片提供支撑

西安紫光国芯嵌入式DRAM技术（SeDRAM）可以为大算力芯片提供超大带宽、超低功耗、超大容量嵌入式存储解决方案，存储容量达GB级别，访存带宽达10TB~100TB级别。SeDRAM技术采用3D异质集成技术，在访存延迟和能效方面也大幅优于2.5D结构。

过去五年，西安紫光国芯的SeDRAM技术已演进到现今的第三代，其技术水平及应用落地案例数量均处于行业领先水平，数十款搭载西安紫光国芯嵌入式DRAM技术的芯片产品已实现量产和销售，场景覆盖高性能计算、人工智能、大数据分析等多个领域。

专业DRAM KGD解决方案

持续为客户创造价值

此次展会，西安紫光国芯还展出了DRAM KGD全系列产品。其中，全新发布的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD产品，在进一步优化芯片尺寸的同时还提升了主要性能指标，可广泛应用于IPC、STB和汽车电子等市场，并已成功实现量产。

西安紫光国芯的DRAMKGD系产品已覆盖通信、穿戴、人工智能、物联网及安防等诸多高端领域，并以其高品质产品、长期的技术支持和供货保证等突出优势，持续为客户创造价值。

DRAM存储系列产品

深度布局商业市场 西安紫光国芯重点展示了LPDDR4x、LPDDR4、DDR3、DDR2及SDR等多款具有自主知识产权的高可靠车规级芯片产品、新一代DDR5 R/U/SO-DIMM、NVDIMM等模组及系统产品。

其中，作为业界首款具备On-Chip ECC功能的存储芯片产品LPDDR4 DRAM，其在高温环境下的性能和可靠性均得到了显著增强。另外，结合芯片封装设计的可靠性仿真优化，西安紫光国芯LPDDR4 DRAM尤其适用于车规等高可靠应用场景。系列产品已在智能驾驶、智能座舱等领域批量出货，应用车型达10款以上。

西安紫光国芯紧跟市场需求变化，专注技术创新与突破。为满足企业级应用在性能和质量方面的更高要求，公司此次展出的新一代DDR5 RDIMM产品在各项性能方向进行了全面优化，速度可达5600Mbps，可为国产CPU平台以及英特尔第5代至强可扩展处理器Emerald Rapids等平台提供内存解决方案。

“一站式”芯片设计开发

多元服务全场景 通过多年行业深耕与技术积累，西安紫光国芯建立从芯片规格定义到量产测试的完整芯片设计开发体系，打造了先进工艺全流程的芯片设计开发平台。平台应用覆盖基带通讯、AR/VR、存储控制、网络处理、可编程阵列、电源管理和大带宽解决方案等领域。 目前，西安紫光国芯已为60余家海内外客户提供全流程设计服务，交付220余项服务成果。

未来，西安紫光国芯将持续推出具有核心竞争力的产品和服务，在新紫光集团“志高行远 创造价值”的价值观引领下，“芯向未来持续创新”，为半导体产业发展创造更多价值，为全球科技进步发展做出更大贡献。






审核编辑：刘清