紫光国芯亮相瑞芯微第九届开发者大会

此前，2025年7月17日至18日，以“AIoT 模型创新重做产品”为主题的瑞芯微第九届开发者大会（RKDC 2025）在福州海峡国际会展中心举行。作为业界领先的以存储技术为核心的高科技企业，紫光国芯受邀参展并携多款先进存储产品和创新技术方案亮相。

展会现场，重点展出了包括高可靠性车规级LPDDR4/x、DDR4、DDR3在内的多款DRAM芯片、CXL内存扩展主控产品方案，以及行业领先的三维堆叠DRAM（SeDRAM）产品技术方案。

紫光国芯存储颗粒产品覆盖PSRAM、SDR至DDR4、LPDDR4/x及LPDDR5/x等全代际产品，容量规格选择多样。从最早RK31系列，RK32系列到现在的RK33系列，RK35系列，尤其当前针对RK3588和RK3576等主流明星产品，紫光国芯均有与之匹配的高性能存储器，提供深度适配的同时还可长期稳定供应。

紫光国芯在存储器领域创下一个又一个新高，成功研发出多款产品并大规模量产，实现全球销售，尤其DRAM存储系列产品填补了国内高端存储器领域的多项空白。本次展出的LPDDR4/4x（8GB~1GB），专为智能手机、平板电脑、工业、车载、便携式设备及高性能物联网终端设计。具备业界领先的高速率、超低功耗的特性，显著提升终端设备的续航能力与流畅体验，满足日益增长的高清显示、多任务处理等各类高性能需求。

展会期间，紫光国芯重点展示了其行业领先的三维堆叠DRAM(SeDRAM)技术与CXL内存扩展主控产品方案。其中，依托深耕10年的技术积累和持续创新，紫光国芯的SeDRAM技术凭借超大带宽与超低功耗优势，可为算力芯片提供最优存储解决方案，助力用户产品性能的极致释放。同时展出的CXL内存扩展主控产品方案，能有效扩展系统内存带宽与容量，支持高性能服务器实现TB级内存突破。

紫光国芯依托多年优势技术研发积累，可提供高性能、低功耗、高可靠的存储解决方案；结合本地化技术支持，协同国产AIoT芯片领军企业瑞芯微，实现了端侧算力平台的优势互补。 未来，紫光国芯将持续深化与产业伙伴的合作，以创新的存储技术和产品方案赋能更广阔的应用场景，助力客户产品竞争力提升。