西安紫光国芯携新一代DDR5 RDIMM产品亮相MTS 2024

11月8日，以“存储趋势 智创芯生”为主题的2024存储产业趋势研讨会 (MTS 2024) 在深圳隆重举办。

西安紫光国芯携专业DRAM KGD解决方案、DRAM存储产品等前沿存储技术成果亮相，与行业伙伴共同探讨未来存储新趋势。其中，新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD产品为首次亮相。

西安紫光国芯作为国内领先的专业DRAM KGD解决方案提供商，产品应用在通信、穿戴、人工智能、物联网、安防等众多关键领域。

本次展出的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD产品在进一步优化芯片尺寸的同时提升了主要性能指标，可广泛应用于IPC、STB和汽车电子等市场，并已成功实现量产。

512Mb DDR2是采用先进工艺的第二代标准DDR KGD芯片，在工作电压1.5V时可同步支持1333Mbps，能够充分满足视频监控芯片的功耗和带宽需求。

该款产品可助力IPC SoC客户进一步提升其整体性能，完善国内供应链布局。

1Gb DDR3 KGD产品最高速度可达2133Mbps，在可靠性和稳定性方面表现更优，将为消费类、车规和工控市场带来更具性价比的选择。

依托近20年DRAM芯片研发经验以及模组产品开发经验, 西安紫光国芯开发的新一代DDR5 RDIMM产品在各项性能上得到了全面优化。

通过新一代内存技术，本款产品在容量、功耗、总线效率等方面有显著提升，速度可达5600Mbps，满足了企业级应用在性能和质量方面的更高要求，可为国产CPU平台以及英特尔第5代至强可扩展处理器Emerald Rapids等平台提供内存解决方案。

本次亮相的还有采用新一代工艺开发的1Gb DDR3颗粒产品。与上一代产品相比，芯片尺寸减少，最高速率提升至2133Mbps，工作电压降低，支持DDR3L，产品力得到大幅提升。

该款产品还通过了包括JEDEC Timing、Qualification等多项严苛测试，拥有更完善的量产测试覆盖率，进一步提升了产品性能并增强了可靠性，可满足工业控制、电力、医疗、汽车电子等高端应用的严格要求。

半导体与存储产业总是挑战与机遇并存，作为以存储技术为核心的产品和服务提供商，西安紫光国芯将继续以科技创新为驱动，持续精耕细作，推出具有核心竞争力的产品和服务。


同时，在紫光集团“大研发、大制造、大市场”战略部署下，期待与产业伙伴携手推动存储产业生态建设，赋能产业高质量发展。

审核编辑：刘清