0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2023-09-07 16:50 次阅读

随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求,新能源汽车的市场需求逐渐增大,已然成为汽车发展的大趋势,但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此,需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。

针对这一需求,士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力,为用户带来更高的效率和更好的体验。

该模块产品阻断电压可以达到1200V,可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求,在5C倍率的充电速度下,可以实现5min充电0-80%。同时,该模块峰值工况下支持850V电压,输出电流350-400Arms,输出动能强,汽车加速快,这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块,可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性,从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

与传统的驱动模块相比,士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高,可以将更多的功率输出到驱动轴,提高车辆的加速性能和行驶距离。此外,该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级,可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害,从而延长逆变器的寿命。

该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术,较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度,用于降低饱和压降,提高器件的功率密度,缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um,可以使得器件-40度下耐压大于1200V,大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数,具有较低的静态损耗,以及低开关损耗,可以增大模块的输出能力,提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC,进一步降低模块热阻,提高输出能力。

产品验证数据显示,该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品,达到了世界一流水平。这也意味着,士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品,它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度,进而改善车辆的性能和驾驶体验。

wKgaomT5jtSAQClKAABvdiORxUM087.png

二十多年来,士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路,打通了“芯片设计、芯片制造芯片封装”全产业链,实现了“从5吋到12吋”的跨越,为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。

士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件,还包括驱动IC电源IC、电机IC和MCU等系列产品,可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下,全力以赴促进客户和行业的共同发展。

wKgZomT5jtWAarTDAAIT81aipiU552.png

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 新能源汽车
    +关注

    关注

    140

    文章

    9705

    浏览量

    97799
  • IGBT
    +关注

    关注

    1238

    文章

    3526

    浏览量

    243615
  • 士兰微
    +关注

    关注

    1

    文章

    61

    浏览量

    18552
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:05 0次下载

    1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:02 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:16 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:14 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:11 0次下载

    1200V 25A沟槽和场阻IGBT JJT25N120SE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 25A沟槽和场阻IGBT JJT25N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 16:59 0次下载

    瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80
    的头像 发表于 04-07 11:37 453次阅读
    瞻芯电子<b class='flag-5'>推出</b>一款车规级<b class='flag-5'>1200V</b> SiC三相全桥塑封<b class='flag-5'>模块</b>IVTM12080TA1Z

    Qorvo发布1200V碳化硅模块

    全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9
    的头像 发表于 03-06 11:43 351次阅读

    安森美推出第7代绝缘栅双极晶体管技术的1200V SPM31智能功率模块

    智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率
    的头像 发表于 02-27 11:38 392次阅读

    IGBT基础知识及国内厂商盘点

    IGBT产品。目前芯能聚焦600V1200V中小功率IGBT产品,IGBT单管、IPM、IGBT
    发表于 10-16 11:00

    国产替代/华润2023年变频器IGBT选型参考

    T120DVDAH ValueDual HalfBridge 1200 600 变频器模块产品列表 Part Number Package Configuration V(BR)CES
    发表于 10-08 14:34

    士兰微电子推出高性能汽车驱动模块600A/1200V IGBT模块

    汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。   针对这一需求,士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车
    的头像 发表于 06-20 11:36 822次阅读

    1200V-600A/450A IGBT模块产品性能

    对应用系统的性能具有决定性的影响。为响应上述应用市场日益增长的发展需求,JSAB推出了兼容国外一流进口品牌的Econodual3和62mm封装的1200V-600A/450A大功率模块。相关
    的头像 发表于 06-20 11:26 1541次阅读
    <b class='flag-5'>1200V-600</b>A/450A <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模块</b>产品性能

    赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块

    合作关系。此次,赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中,采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,双方将继续保持紧密合作,全力响应全球电机
    的头像 发表于 05-17 13:35 996次阅读
    赛米控丹佛斯<b class='flag-5'>推出</b>配备罗姆<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>的功率<b class='flag-5'>模块</b>