0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块,提升充电速度与行驶动力

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2023-09-07 16:50 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求,新能源汽车的市场需求逐渐增大,已然成为汽车发展的大趋势,但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此,需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。

针对这一需求,士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力,为用户带来更高的效率和更好的体验。

该模块产品阻断电压可以达到1200V,可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求,在5C倍率的充电速度下,可以实现5min充电0-80%。同时,该模块峰值工况下支持850V电压,输出电流350-400Arms,输出动能强,汽车加速快,这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块,可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性,从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

与传统的驱动模块相比,士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高,可以将更多的功率输出到驱动轴,提高车辆的加速性能和行驶距离。此外,该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级,可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害,从而延长逆变器的寿命。

该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术,较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度,用于降低饱和压降,提高器件的功率密度,缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um,可以使得器件-40度下耐压大于1200V,大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数,具有较低的静态损耗,以及低开关损耗,可以增大模块的输出能力,提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC,进一步降低模块热阻,提高输出能力。

产品验证数据显示,该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品,达到了世界一流水平。这也意味着,士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品,它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度,进而改善车辆的性能和驾驶体验。

wKgaomT5jtSAQClKAABvdiORxUM087.png

二十多年来,士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路,打通了“芯片设计、芯片制造芯片封装”全产业链,实现了“从5吋到12吋”的跨越,为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。

士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件,还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品,可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下,全力以赴促进客户和行业的共同发展。

wKgZomT5jtWAarTDAAIT81aipiU552.png

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 新能源汽车
    +关注

    关注

    141

    文章

    11278

    浏览量

    104721
  • IGBT
    +关注

    关注

    1288

    文章

    4269

    浏览量

    260716
  • 士兰微
    +关注

    关注

    1

    文章

    79

    浏览量

    19531
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    扬杰科技推出新一代To-247PLUS封装1200V IGBT单管

    扬杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封装1200V IGBT单管,产品采用新一代沟槽工艺平台,极大的优化了器件的导通损耗,产品参数一致性好,可靠性优良,适用于伺服、变频器
    的头像 发表于 09-18 18:01 2395次阅读
    扬杰科技<b class='flag-5'>推出</b>新一代To-247PLUS封装<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>单管

    白电、车规需求驱动上半年营收63.36亿净利增长1162.42%!

    ,是产能的释放与产品结构的进一步优化:硅基产线维持满载状态,高毛利业务出货增长,IPM模块与车规功率器件带来的贡献已逐步显现。 如今,汽车
    的头像 发表于 09-05 10:27 2201次阅读
    白电、车规需求<b class='flag-5'>驱动</b><b class='flag-5'>士</b><b class='flag-5'>兰</b><b class='flag-5'>微</b>上半年营收63.36亿净利增长1162.42%!

    新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

    新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电
    的头像 发表于 07-31 17:04 787次阅读
    新品 | 针对车载<b class='flag-5'>充电</b>和电动<b class='flag-5'>汽车</b>应用的EasyPACK™ CoolSiC™ <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基<b class='flag-5'>模块</b>

    MG600TLU095MSN4 IGBT模块:规格、参数科普

    在现代新能源和高效电力转换领域,IGBT模块的性能直接决定了系统的能量转换效率和可靠性。MG600TLU095MSN4作为950V/600A
    的头像 发表于 07-18 11:54 1440次阅读
    MG<b class='flag-5'>600</b>TLU095MSN4 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模块</b>:规格、参数科普

    营收破百亿创历史,做了什么?

    近日,杭州发布2024年财报。 报告显示,杭州实现营业总收入112.21亿元,同比增
    的头像 发表于 07-17 13:56 850次阅读
    营收破百亿创历史,<b class='flag-5'>士</b><b class='flag-5'>兰</b><b class='flag-5'>微</b>做了什么?

    扬杰电子MG600HF065TLC2 IGBT模块:大功率应用的卓越解决方案

    概述 MG600HF065TLC2是一款电压等级为650V、额定电流高达600A的高性能IGBT模块。采用先进的沟槽技术,
    的头像 发表于 06-19 16:56 488次阅读
    扬杰电子MG<b class='flag-5'>600</b>HF065TLC2 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模块</b>:大功率应用的卓越解决方案

    闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽车加速普及的今天,续航短、充电慢成为行业发展瓶颈。为突破这两大痛点,高功率电压系统对1200V耐压功率芯片的需求愈发迫切,1200V SiC功率器件成为行业竞相攻坚的焦点
    的头像 发表于 05-14 17:55 973次阅读

    新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B,2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP
    的头像 发表于 05-13 17:04 1254次阅读
    新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共发射极<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模块</b>

    新型IGBT和SiC功率模块用于高电压应用的新功率模块

    。英飞凌发布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特别针对400V和800V电动汽车架构的电驱动
    的头像 发表于 05-06 14:08 639次阅读
    新型<b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC功率<b class='flag-5'>模块</b>用于高电压应用的新功率<b class='flag-5'>模块</b>

    龙腾半导体推出1200V 50A IGBT

    在功率器件快速发展的当下,如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖,成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的头像 发表于 04-29 14:43 992次阅读

    驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

    随着功率半导体IGBT,SiCMOSFET技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电压从600V拓展到了1200V。英飞凌12
    的头像 发表于 03-24 17:43 1w次阅读
    <b class='flag-5'>驱动</b>电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

    派恩杰半导体1200V 400A系列半桥62mm封装模块 内置二极管提升高频应用可靠性

    派恩杰半导体上新 ;1200V 400A系列半桥62mm封装模块,内置二极管提升高频应用可靠性!
    的头像 发表于 03-24 10:11 3557次阅读
    派恩杰半导体<b class='flag-5'>1200V</b> 400<b class='flag-5'>A</b>系列半桥62mm封装<b class='flag-5'>模块</b> 内置二极管<b class='flag-5'>提升</b>高频应用可靠性

    陆芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT单管

    陆芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT单管,产品型号为YGK40N120TMA1。
    的头像 发表于 03-11 16:17 862次阅读
    陆芯科技<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V40A</b> GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b>单管

    芯达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 全系列型号

    深圳市三佛科技有限公司介绍芯达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 提供样品,技术支持。 国产IBGT+FRD单管: XD005G120AY1G3应用:充电抢5A
    发表于 12-19 15:03

    MG400V2YMS31700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

    东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A
    的头像 发表于 12-17 15:43 612次阅读
    MG400<b class='flag-5'>V2YMS31700V</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>模块</b>,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备