天津工业大学李龙女：基于***的平面型封装1700V碳化硅模块开发与性能表征

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

期间，天津工业大学副教授李龙女带来了《基于***的平面型封装1700V碳化硅模块开发与性能表征》的主题报告。

SiC/GaN器件具有低导通电阻、快速开关、高耐压、低开关损耗和高工作温度当前亟需针对SiC器件/模块的先进封装，需要创新低寄生/杂散阻抗、高散热效率的高可靠封装结构，以及高耐温 (> 200oC), 高导电性和高可靠的封装材料。

报告介绍了开发采用全烧结银互连和DBC的平面型封装SiC功率模块的研究成果，研究指出材料方面采用氮化铝基板和烧结银垫块的封装结构，可明显降低双面封装结构整体应力，有利于提高模块可靠性。

封装结构方面采用模块-C间隔排布MOS芯片和二极管方式，最高结温更低，且各芯片间的温度差异更小，且寄生电感较小，更有利于保持模块性能。基于课题组低温纳米银烧结工艺，制备基于***的平面型封装1700V碳化硅半桥模块，模块整体厚度约5 mm。

通过测试，各栅源电压下栅源漏电流均很小。70A输出时，漏源导通压降为１.６V，与芯片I-Ｖ曲线一致，表明封装过程寄生阻抗低，双面互连也未引起芯片预损伤和老化退化。